半导体器件物理 教学课件 作者 顾晓清 王广发 四.ppt

晶体管的频率特性与功率特性 主要的高频参数 截止频率 特征频率 高频功率增益 最高振荡频率 4.1 晶体管的频率特性 α截止频率 （共基极截止频率） 表示共基极短路电流放大系数的幅 值|α|下降到低频值α0的1/ 时的频率。 即 = 时，|α|=α0/ 。 β截止频率 表示共发射极短路电流放大系数的 幅值|β|下降到低频值β0的1/ 时的频率。 即 = 时，|β|=β0/ 反映了电流放大系数β的幅值 |β|随频率上升而下降的快慢， 但并不是晶体管电流放大的频率极限。 晶体管电流放大的频率极限是后面将要讲到的特征频率。 特征频率 表示共射短路电流放大系数的幅值 下降到|β|=1时的频率。 它是晶体管在共射运用中具有电流放大作用的频率极限。 从图可以看出，上述几个频率参数间有如下关系 且 很接近 当工作频率满足 关系时， |β|随频率的增加，按-6dB/倍频的速度下降。 最高振荡频率 表示最佳功率增益等于1时的频率。 晶体管具有功率增益的频率极限。 当 时，晶体管停止振荡。 共基极短路电流放大系数与频率的关系 共基极交流短路电流放大系数的定性分析 共基极交流短路电流放大系数的定量分析（略） 共基极交流短路电流放大系数α和截止频率 定性分析 共基极交流短路电流放大系数定义为输出交流短路时，集电极输出交流电流ic与发射极输入交流电流ie之比，并用α表示。（交流信号用小写字母表示。） 发射结势垒电容分流电流iCTe 当发射极输入一交变信号时，发射结空间电荷区宽度将随着交变信号变化，因而需要一部分电子电流对发射结势垒电容进行充放电。（有一部分电子电流被势垒电容分流，形成分流电流iCTe） 所以高频时发射极电流为 ine 发射结注入基区交流电子电流 ipe 发射结反注入空穴电流（基区注入发射结的空穴电流） 交流发射效率 频率增高，结电容分流电流iCTe增大，导致交流发射效率γ下降。 所以，交流发射效率γ随频率的升高而下降。 扩散电容分流电流iCDe 在交流状态下，注入基区的少子浓度和基区积累电荷将随着结压降的变化而变化。因此，注入基区的少数载流子，一部分消耗于基区复合，形成复合电流iVR外，还有一部分将消耗于对扩散电容充放电，产生扩散电容分流电流iCDe，真正到达基区集电结边界的电子电流只有inc(0)。 交流基区输运系数 频率越高，分流电流iCDe越大，到达集电结的电子电流inc(0)越小 所以，基区输运系数β*也随着频率的升高而下降。 集电结空间电荷区输运系数 到达集电结边界的电子电流inc(0)，通过集电结空间电荷区时需要一定的传输时间；耗尽层中产生位移电流用于维持空间电荷区边界的变化，使到达集电区边界的电子电流减少到inc(xm) 。 频率越高，位移电流越大，使βd随着频率增高而下降。 集电结势垒电容分流电流iCTc 到达集电区的交变电子电流，在通过集电区时 ，还需要用一部分电子电流对集电结势垒电容充放电，形成势垒电容的分流电流iCTc ，真正到达集电极的电子电流只有incc 集电区衰减因子αc 集电极输出电流ic应该等于从发射极传输过来的电子电流incc和集电结反向电流ipc之和。 集电区倍增因子α* 反向电流ipc一般很小，但当集电区电阻较大时，输运至集电区的电子电流在体电阻上产生漂移电场，而漂移电场会使反向空穴电流增大，从而减小了有效电子电流incc。 （使集电区倍增因子变小） 共基极交流短路电流放大系数α 在各个传输过程中，由于结电容对传输电流的分流作用，使传输电流的幅值减小，对电容充放电所产生的延迟时间，使输出信号同输入信号间存在相位差（延迟或不同步）。 交流放大系数α是复数，其幅值随着频率的升高而下降，相位差随着频