半导体制造工艺 教学课件 作者 张渊 第7章 光 刻.pptVIP

半导体制造工艺 第7章　光　　刻 第7章　光　　刻 7.1　概述7.2　光刻工艺的基本步骤7.3　正性光刻和负性光刻7.4　光刻设备简介7.5　光刻质量控制 7.1　概述 图7-1　半导体制造工艺流程 7.1　概述 7.1.1　光刻的概念 　　光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。 图7-2　光刻的基本原理图 7.1　概述 7.1.2　光刻的目的　　光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。7.1.3　光刻的主要参数　　在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。1.特征尺寸2.分辨率 图7-3　焦深的示意图 7.1　概述 3.套准精度4.工艺宽容度7.1.4　光刻的曝光光谱　　曝光光源的能量要能激活光刻胶，并将图形从掩膜版中转移到晶圆表面。由于光刻胶材料与紫外光所对应的特定波长的光发生反应，因此目前紫外光一直是形成光刻图形常用的能量源。 表7-1　常用的曝光光源以及光源波长与特征尺寸的关系 7.1　概述 7.1.5　光刻的环境条件　　在晶圆的批量生产中，光刻机对环境的要求非常苛刻，特别是现在的深亚微米尺寸的生产线。微小的环境变化就可能导致器件的各种缺陷。光刻设备有一个要求非常严格的密封室控制各种条件，例如温度、振动、颗粒沾污和大气压力等。1.温度2.振动3.颗粒沾污4.大气压力 7.1　概述 7.1.6　掩膜版 　　掩膜版是晶圆生产过程中非常重要的一部分。比较常用的是掩膜版和投影掩膜版。掩膜版包含了整个晶圆的芯片阵列并且通过单一的曝光转印图形，一般用于较老的接近式光刻机或扫描对准投影机中。投影掩膜版是一种局部透明的平板，在它上面有将要转印到晶圆上的一部分图形（例如几个芯片的图形），因此需要经过分步重复在整个晶圆表面形成覆盖，一般用于分步重复光刻机和步进扫描光刻机。1.投影掩膜版的材料2.投影掩膜版的缩影和尺寸3.投影掩膜版的制造 7.2　光刻工艺的基本步骤 1.气相成底膜 图7-4　光刻的基本工艺步骤 7.2　光刻工艺的基本步骤 图7-5　气相成底膜示意图 7.2　光刻工艺的基本步骤 图7-6　旋转涂胶示意图 2.旋转涂胶 7.2　光刻工艺的基本步骤 图7-7　软烘工艺的原理示意图 3.软烘 7.2　光刻工艺的基本步骤 图7-8　曝光设备的结构示意图 4.曝光 5.烘焙 7.2　光刻工艺的基本步骤 6.显影 图7-9　显影示意图 7.坚膜8.显影检查 7.3　正性光刻和负性光刻 7.3.1　正性光刻和负性光刻的概念　　光刻包括两种基本的工艺类型：正性光刻和负性光刻。正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。正性光刻与负性光刻的光刻效果如图7?10所示。 图7-10　正性光刻与负性光刻的光刻效果 7.3　正性光刻和负性光刻 1.正性光刻2.负性光刻7.3.2　光刻胶　　光刻胶，亦称光致抗蚀剂，其质量的好坏对光刻有很大的影响，因此在集成电路的制造中必须要选择和配置合适的光刻胶。1.光刻胶的组成及原理2.光刻胶的种类3.光刻胶的使用存储7.3.3　正性光刻和负性光刻的优缺点　　根据在光刻工艺中使用的光刻胶的不同，可以将光刻工艺分为正性光刻和负性光刻。 7.4　光刻设备简介 7.4.1　接触式光刻机　　接触式光刻机是从SSI（小规模集成电路）时代（20世纪70年代）的主要光刻手段。它被用于线宽尺寸约为5μm及以上的生产中。现在接触式光刻机已经基本不再被广泛使用。接触式光刻的示意图如图7?11所示。 图7-11　接触式光刻示意图 7.4　光刻设备简介 7.4.2　接近式光刻机　　接近式光刻机是从接触式光刻机发展过来的，并且在20世纪70年代的SSI时代和MSI（中规模集成电路）早期普遍使用。这种光刻机如今仍然在生产量小的老生产线中使用，一些实验室和生产分立器件的生产线中也有使用。接近式光刻的示意图如图7?12所示。 图7-12　接近式光刻的示意图 7.4　光刻设备简介 7.4.3　扫描投影光刻机　　不管是接触式还是接近式光刻，都存在沾污、边缘衍射、分辨率限制并且依赖操作者等问题。20世纪70年代出现的扫描投影光刻机试图解决这些问题，直到20世纪80年代初扫描投影光刻机开始占据主导地位。现在这种光刻机仍在较老的晶圆生产线中使用。它们适用于线宽大于1μm的非关键层。7.4.4　分步重复光刻机 图7-13　分步重复光刻机示意图 7.4　光刻设备简介 7.4.5　步进扫描光刻机　　步进扫描光学光刻系统是一种混合设备，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机的技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶圆