半导体制造工艺 教学课件 作者 张渊 第9章 掺 杂.pptVIP

9.4　离子注入机 (2)束流检测器　在靶盘的背后有一个离子束检测器(法拉第测试杯 ——金属杯，又叫剂量控制器)，用以监测注入的离子数量，如图9-?42所示。2.终端台(1)靶盘运动驱动装置　靶盘运动驱动装置提供靶盘做旋转运动(Rotary drive)、往复直线运动(Linear drive)以及靶盘两个方向的偏转(Gyro drive)的动力。(2)硅片传送装置　当硅片盒被放到移动片盒台上后，需要通过一系列的操作将没注入过的硅片从片盒中取出放到靶盘上，同时又要把注入好的硅片从靶盘上取下送回到空片盒中，为了提高效率，装片和卸片同时进行。 9.4　离子注入机 1)真空片盒(Vacuum cassette)：真空片盒是让硅片从大气状态进入到真空状态或从真空状态回到大气状态的一个过渡装置。 2)硅片装卸传输机械手(Transfer arm)：和前面的电动机驱动一样,它是一套具有编码器的直流伺服电动机,通过齿形带带动传输手臂的旋转。(3)监视与操作界面　这一部分实现对工艺的全过程的程序设置、工艺参数设置、工艺监控等。9.4.6　真空系统离子注入机的许多部件内部都要求真空系统，比如离子源、加速器、靶室等。一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。 9.5　离子注入工艺 9.5.1　离子注入工艺规范操作1.接片检查2.注入工艺操作1)按设备操作顺序和规范进行设备检测、工具检测与准备。2)杂质气源检测与准备：指示灯、真空度及气体流量调节等要达到工艺规范要求。3)待注入硅片准备：用倒筐器把待注入片倒入注入专用筐。4)再次核对设备、气源等各项指标并校正。5)离子注入：待片子进到注入室时，按操作程序开始注入。6)当注入完后，系统会报警，按下“END”键，并使设备有关表头、有关参数转换到结束状态设定值。7)注入结束后，填好设备运行记录。 9.5　离子注入工艺 8)将硅片倒入原片筐，用真空镊子从背面吸片，目检表面，确认全部正常后下传下道工序。3.工艺操作注意事项1)接传片以及工艺操作过程中，必须戴一次性手套，并且要求一副一次性手套使用最多不能超过45min，操作过程中不论任何原因造成手套损坏，或触摸、抓拿其他物体(除承片台、承片筐、传片盒、真空镊子、随工单、专用记录笔以外的物体)，都必须更换一副新的一次性手套。2)接片时盛片筐、传片盒必须是干净的，无论片量大小传片盒必须是对硅片无挤压的黑色双筐传片盒。3)换筐时必须等筐升到位才可以拿下片筐，否则容易碎片、卡片。 9.5　离子注入工艺 4)过程检验时必须使用真空镊子吸取硅片背面进行操作，任何情况下不得接触硅片正面。5)超过一天不使用或交叉注入不同类型离子源时，必须进行先行假片注入，待所测方块电阻值合格后才能进行正式片操作，操作时保证先入先出的原则。6)传片时必须保证盛片筐、传片盒是干净的，并且保持原传片装置清洁。7)当操作出现异常问题时，“ERROR”黄灯会报警，表示不正常或有其他问题，不能碰任何按键，立即通知调度找维修人员处理。8)注入机进行注入时，不能在机器两侧及后面走动，严禁触及与控制面板无关的按键。 9.5　离子注入工艺 4.安全注意事项1)所有钥匙开关在开启之后必须立即取下钥匙。2)高压端加上高压后，严禁打开防护罩，需要修理高压端或更换离子源时，必须先戴好防毒面具，把高压端断开，并用放电棒对高压端、离子源及相关部分放电，进行这些操作时，至少有两人在场。3)离子源使用的BF3、PH3都是剧毒气体，因此注入时必须打开排风系统。4)不管任何情况造成机械泵停止工作，都要及时打开放气阀，防止机械泵返油。5)在紧急情况下需要停机时，关掉总电源“MAIN POWER”，意外情况下可以按下红色的“EMERGENCY POWER OFF”按键。 9.5　离子注入工艺 6)不能在高于额定能量、束流的条件下运行。7)清洗离子源或换灯丝时，必须在带有强排风的操作箱里进行，且要保证排风良好，对于清洗下来的杂物和被污染的手套应按规定处理，不能乱扔乱放。8) 注入操作结束及清洗离子源、换灯丝后，应立即用清洗剂洗手。9)未经许可不能打开气瓶、气箱和调节任何阀门，换气瓶时，必须至少有两人在场，离子源冷却一小时后才能取出。10)熟练掌握紧急遇险与紧急情况的处理。9.5.2　离子注入使用的杂质源及注意事项1.杂质源 9.5　离子注入工艺 1)磷化氢是一种无色的可燃的剧毒气体，并带有一股腐烂的鱼臭味。2)氟化硼是一种无色的气体，它在潮湿的空气中发出烟雾并带有一种刺激且令人窒息的臭味。2.注意事项 9.5　离子注入工艺 9.5.3　退火 由于离子注入会损伤衬底，使电子—空穴对的迁移率及寿命大大减小，此外，被注入的离子大多不是以替位形式处在晶格位置上。为了激活离子，