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(a) (b) N+ N+ (c) N+ N+ (d) N+ N+ (e) Ni (f) substrate substrate substrate substrate substrate 硅片氧化5000 ?; 连续淀积SiN(500 ?), LTO(2000?), a-Si(500?）和LTO(2000?) ; 光刻并刻蚀 淀积2500 ? a-Si; 磷离子注入; 淀积4500? LTO ; CMP 然后干法刻蚀去除显露的a-Si BOE去除 LTO MILC : 淀积LTO; 光刻长条窗口; 镍淀积; 退火550℃. 去除 LTO,镍; 刻蚀形成有源区。 底部的LTO显露. substrate Silicon Oxide Nitride 新的自对准平面双栅MOS晶体管工艺集成方案提出及工艺过程 (h) (i) ( j ) N+ N+ substrate N+ N+ N+ N+ Top-Gate, Bottom Gate Drain Source substrate N+ N+ N+ N+ substrate (g’) substrate (g) N+ N+ substrate 然后用BOE腐蚀掉显露LTO。 这样就在沟道膜的上方形成一浅槽，而在下方形成一隧道。这个浅槽和隧道最终将决定顶栅和底栅的几何尺寸，并使它们互相自对准。 850℃下生长栅氧;