数字电子技术 教学课件 作者 王秀敏主编3 3.4_场效应管.pptVIP

场效应晶体管（Field Effect Transistor，简写为FET）是只有一种载流子（电子或者空穴）参与导电的半导体器件，因此也被称为单极型晶体管，它是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。具有噪声小、功耗低、输入电阻高（108～109Ω）、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 场效应管种类很多，根据场效应三极管的结构和工作原理，可以分为结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transistor) 。 JFET因有两个PN结而得名，而 IGFET因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET）。 根据参与导电的载流子不同，可以分为N沟道器件（电子作为导电载流子）和P沟道器件（空穴作为导电载流子）。 3.4.1 结型场效应管 结型场效应三极管可以分为N沟道和P沟道两种。 其电路符号如图3.4.1（a）所示，以N沟