CVD金刚石X光探测器在短脉冲激光器上的性能研究.pdfVIP

CVD金刚石X光探测器在短脉冲激光器上的性能研究.pdf

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118 四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十四届学术年会论文集 CVD金刚石X光探测器在短脉冲激光器上的性能研究 侯立飞李芳杨国洪刘慎业 (中窗工程物理研究院激光聚变研究中心四川 绵阳621900) 摘要金刚石具备高热导率、高电阻率、高击穿电场、大的禁带宽度、介电系数小、载流子 迁移率高以及抗辐射能力强等特性,可作为已应用于惯性约柬聚变(ICF)实验X光测量的硅与X 光二极管(XRD)的较好替代品.随着化学气相沉积(CVD)技术的发展,CVI)金刚石受到越来越多 rmnxlrmmx2mill,lirmflxI 的关注。本文利用拉曼谱仪和X光衍射仪对l rex3咖两种规格cvD 金刚石完成品质检测后,完成了CVD金刚石X光探测器(DXD)的集成制作,并在8ps激光器和 SGIII原型装置上开展了探测器时同特性等性能研究。实验结果给出探测器系统前沿响应时闯可达 60ps,半高全宽可达120ps,与XRD探测系统时间特性一致,可以满足ICF实验对X光辐射测量的 应用。 关键词CVD金刚石X光测量响应时间 目前对辐射的探测大都依赖于硅光二极管或PIN二极管。远紫外硅光二极管对软x光的响应灵 于可见光有响应,而且易于受到中子辐射的损伤。另一种普遍应用的软X光探测器是真空X光二极 管(Ⅺm),但是XRD灵敏度很低,而且随光子能量的变化而变化【l-2]。因此需要寻求一种对可见光 不响应,在测谱范围内平响应的X光探测器。另外,ICF点火实验还要求探测器响应快,灵敏度高, 有一定的抗辐射损伤能力。 随着化学气相沉积(CVD)技术的发展,金刚石受到越来越多的关注。无论是天然单晶还是多 晶的金刚石都可以用于各种辐射探测,包括x光,谢线,高能带电粒子以及中子探测。另外,CVD 金刚石还可以用作高效的远紫外成像器件。用金刚石制备的探测器能够在高注量率、高辐照强度以 及高温等苛刻环境下工作【卜2】。 与硅光二极管相比,金刚石光电导探测器(PCD)的优势包括:较大的载流子迁移率(是硅的 两倍)与较小的介电常数使其响应速度较快;室温下漏电流较低;对原子转移的阻力较大(转移阈 值约为43ev,而硅为20 eV):宽禁带本身即可滤掉可见光【3】。针对ICF实验对X光探测要求,金 刚石半导体禁带宽度在5.5eV之间H】,具有良好的抗损伤能力,很快的电荷收集速度以及很低的漏 电流强度,几乎是理想的光电导探测器(PCD)。在NIF装置中,该材料对l蛳与3∞o激光的响应灵 敏度最低。CVD金刚石可以作为硅与XRD探测技术的较好替代品。 Los Alamos国家实验室研制了一套基于多晶CVD金刚石的透射光栅软X光谱仪,在NIF装置上测量软X光 四川省电子学会电子测量与仪器专委会第十四届学术年会论文集 119 谱以测量辐射温度,测谱范围上限达至d3keV[11。国内CVD金刚石探测器的研究在原来天然金刚石探 测器研究的基础【341上也已逐渐展开,但是与实用还有一定距离【51。 mmxl 1.in-llxlminx3 本工作利用1 minx2咖(A型),1 l锄(B型)两种规格的CVD金刚石,采 用金属一半导体一金属(MSM)结构,分别制作出A型、B型X光探测器。在8ps激光器上,重点对 探测器的时间特性进行了考核。 1 金刚石探测器测量原理 对于光激发的载流子,将光激发的载流子,电子与空穴都被统一处理为载流子1*-71。定义11为单 位体积内载流子数目,即载流子浓度。则载流子产生率dnldt为: dn P(f)刀 ·--一=·-__-·… 西 f yV

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