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InGaAs/InP平面型雪崩光电探测器 李彬 韩勤 杨晓红 刘少卿 尹伟红 聂诚磊 中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点联合实验室，北京 100083 摘要：本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器 (APD)。对于30微米直径的器件，其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA。未生长抗反膜 的器件对1.55微米的光的初始响应度 （增益为1时）可达0.65A/W。器件设计倍增层厚度低于300nm，通过刻蚀圆坑与单浮动 扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿，器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散，降低了器件的制备难度。 关键词:雪崩光电探测器；腐蚀坑；浮动扩散保护环；InP TN364+2 AvalanchePhotodiodesusedinlong-hauloptical communicationsystems BinLiQinHanXiaohongYangShaoqingLiuWeihongYinChengleiNie ChinaStateKeyLaboratoryofIntegratedOptoelectronics,InstituteofSemiconductors,ChineseAcademyofSciences,Beijing100083 Abstract:Aplanarstructureseparateabsorption,grading,chargeandmultiplication(SAGCM)InGaAs/InPavalanchephotodiodewhich canbeusedinlong-haulopticalcommunicationsystemshasbeendemonstrated.Thedarkcurrentofa30μrodiameterdeviceisaslowas 0.032hAatpunch-throughvoltageand0.16nAat90％ofthebreakdownvoltage.Withoutanyantireflectivecoatings,theresponsivityat 1.551mis0.65A/Watunitygainandthemultiplicationlayerisestimatedtobelessthan300rim.Throughtheuseofawellandasingle floatingguardringtosuppressedgebreakdown,thedeviceonlyneedsoneepitaxialgrowthstepandonediffusionstep,whichmakesit easytofabricate. avalanchephotodiodes；etchwell；floatingguardring；InP ，节．t—e-●?■化寺鞠l牛●-俸、t—‘—l件和光电■l件掌术●。馥 图2是30微米直径的器件的电流-电压 uL●．弓√u矗特性。其中实线是器件的光电流特性，点线 ’k．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．J - ● 、Ⅲ 是其暗电流特性。可见，器件的穿通电压约 a■■■一¨●- 矗—蚺●， ●_- 7V，其击穿电压约47V，其暗电流在穿通电 qqw●_· o●_●■i ^ 压处可低至0．032nA，在90％击穿电压下暗电 o●m lh 流仅0．16nA。如此低的暗电流说明了良好的 - IOta ■ ，^“ - wmn 材料生