冷热探针测半导体导电类型实验技术.pdfVIP

88 201 1年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会论文集 冷热探针测半导体导电类型实验技术 赵雨 (上海电力学院数理系，上海201300) 摘要半导体工业上要测量半导体的导电类型、载流子浓度．制作并改进了传统 的冷热探针测半导体导电类型的实验装置，即使传统冷热探针原来固定的 温度差改进为数值可变的量，做出了P、13型硅半导体样品的温差电动势 随冷热探针温度差的变化关系．进而测出了样品的导电类型，并且发现温 差小于120℃时温差电动势与温差成正比，对上述结果做了理论分析．该 实验理论依据明确，实验方法可操作性强，实验器材造价低廉，适合作为 大学物理实验中的综合性、研究性实验开设． 关键词温差电动势；导电类型；掺杂浓度 1实验原理 当两个不同的半导体(或者导体)a和b两端相连，如两个接头A和B具有不同的温度 五和乃，则b的两个端口中便会产生温差电动势．这个效应是1821年由塞贝克0,21发现的， 称为塞贝克效应，温差电动势称为塞贝克电动势‘31．有关理论[91表明：对于P型半导体有 善=量丢+啤)(乃一五) (1) q二 对于n型半导体有 善：一—k—oL-i3+％)(五一五) (2) q二 式中，ko为波耳兹曼常数，q为基本电荷常数，％、吒是跟半导体材料的掺杂浓度有关的 一个物理量， ％一h寺 o) ％=一In号 (4) 』-C (3)、(4)式中Ⅳv为半导体价带态浓度，Ⅳc为半导体的导带态浓度，为可查的参数，P 为P型半导体的多子载流子浓度，n为n型半导体的多子载流子浓度． 可以看出，对于同样的测试条件P型半导体和n型半导体冷热两端的电动势符号相反； 对于特定的半导体材料。冷端和热端之间的温差电动势在一定温度范围内与冷热两端温差 (乃-瓦)成正比． 2011年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会论文集 89 2实验装置及实验方法 实验装置如图I所示． 图l 冷热探针法测半导体导电类型示意图 图中“热针”为可加热的电烙铁，上面包裹TM-902C型号的数字温度计的感温端用以 测量显示热探针的温度：图中“冷针”为铜金属探针，温度等于室温；冷热探针之间为UT56 数字万用表，用以测量冷热探针的温差电动势．冷热探针下面为硅片样品．实验开始，先把 电烙铁通电加热到200。C以上，然后停止通电，电烙铁开始降温，降温过程中每隔5℃读出 TM．902C数字温度计显示的热探针温度咒，同时记录热探针温度所对应的毫伏表的读数． 3实验测量结果及分析 对于P型硅导电类型的半导体样品，温差电动势与冷热探针之间温度差(乃．乃)之间的 关系为图2(oringin软件作图)： 圃 ∞ 卯 ∞ 如 加 (人昌羲奄曾制赠4辛ij辱鬃龛 m O 0 20 40 140160180 ‘ 冷热探针温度差(K)