1mm SiC多指栅微波功率器件.pdfVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ １犿犿犛犻犆多指栅微波功率器件  陈 刚 钱 伟 陈 斌 柏 松 　 　 　 　 　 　 　 （南京电子器件研究所，南京 ２１００１６） 　 摘要：研制了 多栅器件 通过对 关键工艺技术进行研究，设计出初步可行的工艺流程， ４犎犛犻犆犕犈犛犉犈犜１犿犿 ． 犛犻犆 并且制作出单栅宽 ，总栅宽 ，栅长 的 沟道 ，其微波特性测试结果为：在 １００犿 １犿犿 ０８犿 狀 ４犎犛犻犆犕犈犛犉犈犜 μ μ ， 时，最大输出功率为 ，相应增益为 ，功率附加效率为 ，漏极效率为 ２犌犎狕犞 ＝３０犞 １１４犠 ４５８犱犅 １９％ ２８７％． 犱狊 关键词： 碳化硅；金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 ４犎 ： ； 犈犈犃犆犆 ２５６０犛 ２５２０犕 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３８６３ 犃 ０２５３００４１９０３ 　　　 　　　 １９ －３ 选用的 材料的一个重要设计在于采 １０犮犿 ． 犛犻犆 － 引言 用了相对高掺杂相对薄（ ）的 缓冲层，这层 １ ０２犿 狆 μ 　 －缓冲层减小了器件的输出电导 当漏极加偏压 狆 ． － 碳化硅（ ）材料因禁带宽度大、击穿电场高 时， 缓冲层／沟道层界面形成一个反向偏置的 狀 犛犻犆