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维普资讯 第 19卷第 ¨期 半 导 体 学 报 Vo1．19+No．11 1998年 11月 CHINESEJOURNALOF SEMICONDUCTORS NOV．，1998 400MHz250W VDMOS功率场效应晶体管 ／ 刘英坤 杨增敏 郎秀Z-王占利 n 何玉樟 目仲志 李 勇 周晓黎 (电子部第十三研究所 石家庄 o5o051) 400MHz下连续波输出250W，功率增益 10dB的垂直双扩散场效应晶体管 (VD—MOSFET)．采用Mo栅降低 串联电阻t400MHz下用共源推挽结构成功地进行了并联工 作．在 Vd．一50V下实现了连续波输出250W ，增益 10dB，漏极效率60 ． EEACC：1220，2560R ， ． - 孛’于， 屋品孝， 近几年来硅功率MOSFET广泛用于各种固体功率系统．如高频列率放大器．信号发生 器，高速开关等．这主要是因为作为功率器件 MOSFET较双极 晶体管相 比具有 下优 ． ． 点 【l： (1)漏极 电流是负温度系数．热稳定性好、无二次击穿} (2)优良的线性性能； (3)输入阻抗高，电路结构简单； (4)开关速度高． 特别是DMOS作为功率器件，因为它具有高的漏源击穿电压．而且不会引起热斑．所以 DMOS在高频和大功率方面近几年取得了较大进展．例如，900MHz100W 的VDMOSE， 400MHz100W 的VD—MOS(UF28100) ，2．45GHz7．2W 的LDMOSE‘等 已有报道．但应 用在电子对抗领域的400MHz下输出功率大于200W 的DMOS器件，目前国内外尚未见报 道 ，本文报道了我们开发研制的400MHz250W CW 10dB增益 ，漏极效率 6O 的高性能 vDMOS器件． 本器件的设计研制难度在于解决高频和大功率这一矛盾．而高频和大功率与器件的结 刘英坤 男，1965年出生，硕士，高级工程师，主要从事硅徽被功率器件研制 扬增敏 男，1944年出生，高级工程师，主要从事硅微波功率器件的测试研究 郎秀兰 男，1967年出生，工程师，主要从事硅徽被功率器件的研制 王占利 男，1972年出生，动工 ，主要从事硅截艘功率器件的测试研究 1g98—04—02收到，1998—05—11定祷 维普资讯 半 导 体 学 报 l9卷 构和外延材料的参数选取是分不开的，因此本器件的设计主要从以下几个方面考虑． 2．1 功率设计考虑 众所周知，器件输出功率Po与漏极工作 电压V 和漏极 电流Jn成正比，因此提高Po 就需要提高v 和 ，。．提高v一就必须提高器件的漏源击穿电压，即提高外延材料 电阻率，增 加外延层厚度，但这与降低导通 电阻相矛盾．所 以，通常是在保证V 的条件下，尽量提高 ． ，。，根据 ID )一c (v，-V )。／2I．，式中C 为栅 电容； 为电子迁移率；Z为栅宽；L为 淘道长度}v；为栅源 电压； 为闽值 电压．提高 ，o就需要增加总栅宽，缩短淘道长度 工，但 L太短会影响击穿