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GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性.pdf
2006 8 27 4 周飞跃 等: GaN 基MSM 构紫外探测器光响应特性
GaN MSM
周飞跃, 杜江锋, 于 奇, 靳 翀, 罗 谦, 杨谟华
( , 610054)
: 在求解 一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用, 获得了
GaN 基MSM 构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解, 从而导出了其光响应特
性主要参数, 并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象将该模型应用于具体器件,
实验测得饱和临界偏压约6 V, 稳态电流6 10- 8 A, 响应率0. 085 7 A/ W, 与理论计算较吻合
: GaN; M SM ; ; ; ;
: T N36 : A : 100 1- 5868( 2006) 04- 0383- 04
Photo-response in GaN-based MSM UV Detectors
ZHOU F i-yu , DU Jiang-f ng, YU Q i, JING Chong, LUO Q ian, YAN G Mo-hua
( School o Microelectronics and Solid- state Electronics, Univ. o Electronic Science and Technol. o China, Chengdu 610054, CHN)
Abstract: A mod l of curr nts in GaN-bas d m ta-l s miconductor-m tal ( M SM ) U V
photod t ctors hav b n obtain d in on -dim nsional structur using st ady- stat continuity
quations, including th ff ct of surfac stat s. According to th mod l, th photocurr nt gain is
xplain d, and th influ nc s of th w idth of d pl tion r gions on th photocurr nts as a function
of th appli d bias voltag ar inv stigat d. T h saturation bias voltag of ~ 6 V, stabl curr nt of
- 8
6 10 A and r sponsivity of 0. 085 7 A/ W ar xp rim ntally obtain d. T h s r sults ar in good
agr m nt w ith th xp rim ntal on s.
Key words: GaN; M SM structur ; U V d t ctor; photocurr nt; surfac stat ; trap
1 ,
, GaN M SM ,
, 2
[ 1, 2]
, GaN 2. 1
M SM 1 ,
[ 3, 4]
,
, GaN ,
,
,
GaN
,
,
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