GaN基蓝光LED关键技术进展.pdfVIP

真空电子技术 VA CUUM EL EC TRON ICS ·综 　　述 · Ga N 基蓝光 L ED 关键技术进展 刘一兵1 ,2 ( 1. 湖南大学 　电气与信息工程学院 ,湖南 　长沙 　4 10082 ; 2 . 邵阳职业技术学院机电工程系 ,湖南 　邵阳　422000) Research of Key Technologies f or Bl ue Ga NBased L EDs L IU Yibin g1 、2 ( 1. Col leg e of E lect rical an d I nf orm at ion Eng i nee ri ng , H unan Uni vers i ty , Changs ha 4 10082 , Chi na; 2 . D ep a rtment of M echanical an d E lect rical E ng i nee ri ng , S haoy ang P rof ess ional Technology ) Col leg e , S haoy ang 422000 , Chi na Abstract :Semiconductor lighting t echnolo gy on high bright ne ss blue GaNba sed L ED s imp act s illumi nation fiel d lar gely , and it ha s been focu s in t he semiconductor re search an d inve st ment at p re sent . Thi s p ap er wa s overviewed t he ba sic p rop ertie s of GaNba sed mat erial , analyzed key t echnolo gie s in making blue GaNba sed L ED s , such a s MOV P E , Pdopin g ohmic cont act , et ching and chip dicin g saw , and int ro duced recent p ro gre sse s of t echnolo gie s at p re sent . At la st , point ed out p roblem s t hat we mu st p ro sp ect , an d al so di scu ssed t he f ut ure t rend . Key words : GaN ;Blue L ED ;MOV P E ; Pdop in g ;Ohmic co nt act ; Et ching ;Dicing saw 摘要 : 以高亮度 GaN 基蓝光 L ED 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击 ,并成为 目前全球半导体领域 研究和投资的热点 。本文首先综述了 GaN 基材料的基本特性 ,分析了 GaN 基蓝光 L ED 制程的关键技术如金属有机物气相 外延 ,P 型掺杂 ,欧姆接触 ,刻蚀工艺 ,芯片切割技术 ,介绍了目前各项技术的工艺现状 ,最后指出了需要改进的问题 ,展望了末 来的研究方向。 关键词 : GaN ;蓝光 L ED ;金属有机物气相外延 ; P 型掺杂 ;欧姆接触 ;刻蚀 ;切割 中图分类号 :TN311 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :1002 - 8935( 2008) - 03 - 0034 - 04 　　近年来 , 以 GaN ,SiC ,AlN ,Zn Se 为代表的宽带 和特性及 GaN 基蓝