IC基础知识及制造工艺流程 050701.pptVIP

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2017-08-18 发布于浙江
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IC基础知识及制造工艺流程 050701.ppt

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硅片和芯片周期表中硅及相关元素掺磷ｎ型硅掺硼ｐ型硅光刻机 RIE刻蚀装置(Parallel Plate) RIE刻蚀机 (AME8330) 扩散（氧化）炉 IC基础工艺(6)－外延外延炉 CVD系统双极型集成电路工艺流程(1)埋层 - 埋层扩散双极型集成电路工艺流程(2) 外延　　　　　　　　双极型集成电路工艺流程(3) 隔离隔离光刻－隔离注入双极型集成电路工艺流程(3) 隔离双极型集成电路工艺流程(5)发射区发射区光刻－磷离子注入－发射区扩散净化室 IC基础工艺(5)－离子注入 - 离子注入原理　杂质分布　　投影射程和标准偏差 - 离子注入掺杂的优点　掺杂量可精确控制　温度低　易得浅结　可带胶注入 IC基础工艺(5)－离子注入 IC基础工艺(5)－离子注入 Si Si Si SiCl4 H2 HCl IC基础工艺(7)－化学气相淀积（CVD） - 原理　SiH4+O2 SiO2+2H2 　Si(OC2H5)4 SiO2+副产物　SiH4 Si+2H2 - LPCVD和PECVD - PSG和 BPSG - 用途　　导电层间绝缘层，钝化层 CVD系统组成：气体源和输气系统质量流控制反应器加热系统 IC基础工艺(8)－溅射（金属）基座硅片靶轰击离子Ar+ 溅射原子 IC基础工艺(8)－溅射（金属） - 常用金属化材料 - 铝硅系统优点　低电阻率　低接触电阻　－纯Al 　－AlSi（防铝尖刺）　－AlSiCu　（抗电迁移） - 合金化 - 多层布线　目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势集成电路技术发展趋势 - 特征线宽不断变细、集成度不断提高 - 芯片和硅片面积不断增大 - 数字电路速度不断提高 - 结构复杂化、功能多元化 IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势(2)硅片大直径化 1997 1990 1984 1977 1975 1972 引入年代 300 (12) 200 (8) 150 (6) 125 (5) 100 (4) 75 (3) 直径 mm (inch) IC技术发展趋势(3)CPU运算能力 2000 Pentium-4 2001 800 Pentium-3 1998 250 Pentium-2 1996 100 Pentium 1995 20 486 1991 8 386 1988 1 286 1982 运算能力(MIPS) CPU型号年代 IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化 Bipolar CMOS BiCMOS DMOS BCD IC制造工艺流程双极型集成电路工艺流程(1)埋层 - 埋层光刻－埋层注入 Sb+ P (111) Sub 10-20?-cm P 衬底 N+　埋层 P Sub N-Epi N+ 埋层 P Sub N- Epi N+ 双极型集成电路工艺流程(3) 隔离 - 隔离扩散 N-Epi N+ P+ P+ 双极型集成电路工艺流程(4)基区 - 基区光刻－硼离子注入－基区扩散 N　埋层 P+ P+ 基区 N+ P+ P+ p N+ N+ * 新员工入职培训 IC基础知识制造工艺流程 IC基础知识集成电路产业链制版硅片硅片工艺设计封装测试纯水净化设备化学品目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势绝缘体／半导体／导体－绝缘体　电阻率?=108-1018?-cm 石英、玻璃、塑料－半导体　电阻率?=10-3-108?-cm 　　　　　　锗、硅、砷化镓、磷化铟　－导体　　电阻率?=10-3-10-8?-cm 　　　　　　金、银、铜、铝　　　　　　　 Pb 铅 6 Sb　锑 Sn 锡 In 铟 5 As　砷 Ge 锗 Ga 镓 4 P　磷 Si　硅 Al　铝 3 N　氮 C　碳 B　硼 2 VI V IV III II 周期 Si Si Si Si Si Si Ｐ Si Si Si