数字电子技术基础习题答案 焦素敏chp2xtdax.pdfVIP

第二章习题 2.1 静态特性：加正向电压时导通，伏安特性很陡、压降很小，可近似看作是一个闭合的开 关。加反向电压时截止，反向电流很小，且几乎不随反向电压的增大而增大。 动态特性：在低速脉冲电路中，开关转换时间可以忽略，在高速通断状态时由于PN 结 中存储电荷的存在限制了二极管的开关速度。 2.2 闭合时有压降，反向截止时有反向电流。 2.4 TTL 逻辑器件引脚悬空时，视门电路的逻辑功能不同可分别认为是高电平和低电平； 而CMOS 器件一般要避免引脚悬空。 I 2.5 灌电流负载能力与驱动门的电流I OL 及负载门的电流I IL 有关：N OL OL I IL I 拉电流负载能力与驱动门的电流I OH 及负载门的电流I IH 有关：N OH OH I IH 2.6 对于TTL 与非门，当有些输入端悬空时，该输入端没有电流，相当于该输入端输入高 电平的情况。不用的输入端可与有信号的输入端并在一起作为输入端、也可通过小电阻与 +5V 电源相连。 2.7 不能，电压不相匹配 2.8 输入信号 +V CC 9 ．2.9 放大状态：发射结正向偏置、集电结反向偏置、基极电流流向发射极、集电集电流 流向发射极。 饱和状态：发射结正向偏置、集电结正向偏置，集电极电位接近或低于基极电位。深度饱 和时Uce≈0.3V、基极电流流向发射极、集电集电流流向发射极。 截止状态：发射结反向偏置、集电结反向偏置，各电极无电流或电流极微弱。