SiO_2溶胶在电沉积法制备CuInS_2薄膜中的作用.pdfVIP

　第 30 卷 　第 11 期 航 　空 　学 　报 Vol30 No 11 　2009 年 　　11 月 A C TA A ERON AU TICA E T A STRON AU TICA SIN ICA Nov 　2009 　　文章编号 (2009) SiO 溶胶在电沉积法制备 CuInS 薄膜中的作用 2 2 朱立群 , 陈海宁 , 李卫平 (北京航空航天大学 空天材料与服役教育部重点实验室 ,北京 100 19 1) Eff ect of SiO Sol on Perf ormance of Electrodeposited CuInS Thin Fil ms 2 2 Zhu Liqun , Chen Haining , Li Weip ing ( Key L aboratory of Aero sp ace Mat erial s and Performance , Mini st ry of Education , Beij ing U niver sit y of Aeronautics and A st ronautics , Beij ing 　100 19 1 , China) ( ) 摘 　要 : 针对 目前电沉积法制备的 Cu In S CIS 薄膜存在 S 元素含量不足以及微观形貌差的问题 ,通过在普 2 通镀液中加入 SiO2 溶胶 ,采用一步电沉积技术在 ITO 导电玻璃上制备 CuInS 预制薄膜 ,镀液的主要组成为 金属盐 、硫代硫酸钠和不同浓度 SiO2 溶胶 。在空气气氛中对 CuInS 预制薄膜进行退火处理以获得多晶的 ( ) ( ) ( ) CIS 薄膜 ,并通过 X 射线衍射 XRD 、扫描电镜 SEM 、能量色散谱仪 ED S 及开路电位对 CIS 薄膜的结构 、 形貌 、成分组成及光响应性能进行研究 。结果表明:SiO2 溶胶浓度为 4 mL/ L 时 ,得到的 CIS 薄膜的结晶度提 高 ,同时 ,SiO2 溶胶作用下得到的 CIS 薄膜的表面形貌 、成分组成和光响应性能都得到改善 。因此 ,镀液中加 入 SiO2 溶胶有利于提高 CIS 薄膜的性能 ,尤其是浓度为 4 mL/ L 时 ,性能提高得最为明显 。 关键词 : 薄膜 ; Cu In S ; SiO 溶胶 ; 电沉积 ; 光响应性能 2 2 中图分类号 : TM9 122 ; TQ 153 1 　　　文献标识码 : A Abstract