共集电极放大电路和共基电极放大电路.pptVIP

(1)gm=IE/VT (2)rb’e=β0/gm (3)Cb’e=gm/2πfT – Cb’c (4)CM1=(1+gmRC) Cb’c (5)C=Cb’e+CM1 (6)fH=1/2πRC 在低频范围内，BJT的极间电容可视为开路，而电路中的耦合电容、旁路电容的电抗增大，不能再视其为短路。据此可画出电路的低频小信号等效电路，如图4. 7. 13a所示 1由此等效电路直接求低频区的电压增益表达式比较麻烦。因此需要作一些合理的近似。 (1)首先假设Rb= Rb1// Rb2远大于此放大电路的输入阻抗Ri，以至Rb的影响可以忽略; (2)其次假设Ce的值足够大，以至在低频范围内，它的容抗XCe远小于Re的值 (3) CeCb2 1 得到： 图4. 7. 13b所示的简化等效电路。然后再将电容Ce折合到基极回路，用C’e表示，其容抗为X C’e= (1+β) X Ce 所以C’e=Ce/ (1+β) ; 2两电容的串联Cb1+C’e定义为C1 2 3图中受控电流源βIb与Rc的并联回路, Rc上的电流为βIb，压降为 βIb Rc。我们可以将受控电流源βIb转换成等效的电压源βIb Rc的形式。 3 图4. 7. 13（c）的输入回路和输出回路都与图4.7.4所示的高通电路相似。 1AVSM是忽略基极偏置电阻Rb时的中频(即