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半导体器件及其基本电路 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ] NPN型硅管 PNP型硅管 NPN型锗管 图1.1 2V 6V PNP型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ] 饱和 放大 截止 图1.2 已损坏 1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V 5V时，测得I 1mA。若把电源电压调整到V 10V，则电流的大小将是 [ ] A.I 2mA B.I 2mA D.不能确定 图1.3 1.4 在如图1-7所示电路中电源V 5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD 0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是 [ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.ICBO B.ICES C.ICER D.ICEO 1.7二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不