功率MOSFET的研究与进展.pdfVIP

M aterials and Devices DOI: 103969/jissn1003- 353x201105007 MOSFET 褚华斌, 钟小刚, 吴志伟, 戴鼎足, 苏祥有 (广东省粤晶高科股份有限公司, 广州 510663) : 器件设计工艺封装宽禁带半导体材料和计算机辅助设计 4大技术的发展进步使得 率MOSF T的性能指标不断达到新的高度超级结技术使得高压 率MOSF T 的导通电阻大 大降低, 降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压 率 MOSF T 的优值因子, 中小 率MOSF T继续朝着单片集成智能 率电子发展 率MOSF T封 装呈现出集成模块化增强散热性和高可靠性的特点基于宽禁带半导体材料 SiC和 GaN 的 率MOSF T 具有高温