双极性晶体管讲义.pptVIP

* * * * * * * * * * * * 共发射极电流增益是三个因素的函数—发射效率，基区输运系数，和复合系数。发射效率考虑了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子基区中的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。 需要考虑的几个非理想效应： 1.基区宽度调制效应，或者说是厄尔利效应：中性基区宽度随集电结电压变化而发生变化，于是集电极电流随集电结或发射结电压变化而变化。 2.大注入效应使得集电极电流随发射结电压增加而增加的速率变慢。 3.发射区禁带变窄效应使得发射区掺杂浓度非常高时发射效率变小。 4.电流集边效应使得发射极边界的电流密度大于中心位置的电流密度。 5.基区非均匀掺杂在基区中感生出静电场，有助于少子越过基区。 6.两种击穿机理—穿通和雪崩击穿。 3.9 总结 晶体管的三种等效电路或数学模型。E-M模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。基区为非均匀掺杂时，应用G-P模型很方便。小信号h-p模型应用于晶体管处于正向有源模式，用于线性放大时。 晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，它是共发射极电流增益的幅度变为1时的频率。频率响应是发射结电容充电时间，基区渡越时间，集电结耗尽区渡越时间，和集电结电容充电时间的函数。 虽然开关应用涉及到电流和电压较大的变化，但晶体管的开关特性和频率上限直接相关。开关特性的一个重要的参数是电荷存储时