场效应管知识简介.pdfVIP

一、场效应管简介 场效应管（Field Effect Transistor 简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一 种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电， 故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性 好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管的类型若从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的 N 沟道器件和 空穴作为载流子的P 沟道器件；从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET 和绝缘栅型场效应三极管IGFET 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET ， 简称MOS 管。MOS 管性能更为优越，发展迅速，应用广泛。 与双极型晶体管相比，场效应管有下列优点：输入电阻高、内部噪声小、耗电省、热稳 定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单、易于集成化、工作频率高等。因此场效应管在电子 电路，逻辑电路，特别是在近代大规模和超大规模集成电路（VSI 和 LVSI ）以及微波毫米 波电路中得到及其广泛的应用。 二、场效应管分类 场效应管的种类很多，按结构大致分为：结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET ） 因有两个PN 结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET ）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。