性试验方法及评估技术研究.docVIP

星用CMOS器件辐射可靠性试验方法及评估技术研究 余学峰 任迪远 郭 旗 陆 妩 艾尔肯 张国强 严荣良 中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐 830011 关键词： CMOS器件 辐射 可靠性 测试方法 评估 1 引 言 用于空间电子系统（如卫星、航天器等）中的CMOS器件,不但要求具有高性能,更要求具有高可靠性。空间环境中,影响CMOS器件可靠性的一个重要原因是空间辐射对 CMOS器件造成的电离辐射损伤。大量试验结果表明，不同厂家、不同工艺、甚至同一工艺不同批次生产的CMOS器件, 对电离辐射损伤都具有不同的敏感性,而作为货架商品，生产厂家并不提供（实际上也根本没有）其产品有关辐射可靠性方面的数据和资料，因此, 准确评估候选的CMOS器件的辐射可靠性并从而加以筛选, 是保证卫星等空间电子系统可靠性的一项非常重要的工作。 CMOS器件辐射可靠性的测量及评判工作, 目前都是通过在地面对CMOS器件进行模拟辐照试验而进行的。不同的辐照方法 ,如辐照时的偏置、剂量率、测试参数的选择和测量方法以及评判标准的不同等, 都会产生不同的评判结果。因此通过进行深入细致研究,建立完善CMOS 器件的辐照方法和可靠性评判标准,是保证CMOS器件在空间辐射环境下高可靠工作的基础性工作。 国外自七十年代初以来,随着CMOS器件抗电离辐射加固工艺研究与制造工作的开展, 广泛进行了CMOS器件辐照实验方法及可靠性保证工作的研究, 并已逐步制订了宇航用CMOS器件的总剂量辐照实验方法和损伤评判的有关军事标准(见美军标MIL- STD883C)。随着研究工作的不断深入和一些新的现象和新的效应的发现,该军事标准迄今仍在不断的补充和完善。 近十几年来, 我所通过与航空航天部有关单位的合作,在对上百种用于空间卫星系统中的CMOS元器件进行了总剂量辐照实验的基础之上，探索了商用 CMOS 器件的总剂量辐射可靠性实验技术及评估方法,得到了一系列新的有价值的结果和结论，具有非常重要的实际应用价值。 本文对用于空间电离辐射环境中的CMOS 器件的电离辐照实验方法和加固评判标准的研究结果进行了总结。其中特别是对一些实际试验过程中经常遇到，而现有方法和标准规定模糊或根本没有规定的内容，根据我们的长期研究结果，对其进行了补充和完善，并从原理和方法上进行了分析和说明。 2 CMOS器件的辐照偏置 工作在空间环境中的CMOS器件总是要处于一定的工作状态, 即器件加有一定的电偏置,大量实验结果表明,器件同一辐照偏置下的不同电参数,及不同辐照偏置下的同一电参数,其辐照损伤程度各有很大的不同。因此,在考察评判其抗辐照水平时,应以实际工作时的电偏置状态为基础, 在辐照场中加各种可能的辐照偏置进行辐照实验。当电路不是十分复杂时, 这一要求比较容易实现,当电路逻辑功能很多时,逐一对每一可能的电偏置进行辐照实验,不仅不经济也无必要。实际上, 在被测电路所有可能的辐照偏置条件中, 我们只需对其加能够使感兴趣电参数发生最劣损伤变化的电偏置条件进行辐照即可,该电偏置条件就叫感兴趣参数的最劣辐照偏置条件。 3 CMOS器件的辐照剂量率 典型空间辐射环境中的辐照剂量率约为10-4-10-2rad(Si)/s, 如果在地面以如此低的辐照剂量率模拟空间辐照环境,达到1x106rad(Si)的累积剂量约需数月乃至数年时间。作为常规的辐照实验, 这不仅不经济,也不实用。 以地面辐照中的高剂量率模拟空间辐照环境中的低剂量率, 国外已做过大量研究,研究结果表明,高剂量率比低剂量率辐照将在CMOS器件栅氧层产生更多的氧化物正电荷和较低的界面态电荷,这将使得地面高剂量率辐照的N沟器件的栅氧和场氧寄生晶体管的阈电压漂移比实际空间大, 而速度及输出驱动能力的衰降将比实际空间环境的小.为了解决这一矛盾,1989年,D.M.Fleetwood 和 P.S.winokw等人提出一种新的总剂量实验方法, 该种方法基于上述实验结果,对美军标MIL-STD883C 实验方法1 019条进行了修正,并已被美国政府,厂商和用户委员会审查通过, 提交美国国防电子器件供应中心作为该军标的1 019.4试验方法。该实验方法对我们的研究工作具有较大的参考价值,简介如下： （a）被测器件在最劣辐照偏置条件下,用CO-60源以50-300rad(Si)/s 的剂量率辐照到规定剂量。 （b）除去偏置,在辐照与测试的间隙内保持0偏置。 （c）辐照后两小时内完成功能及电参数测试。 （d）如果器件通过了(c)中的所有测试,则再对器件进行一次附加辐照, 附加辐照的剂量为第一次辐照剂量的0.5倍。 （e）在100℃的温度场中,器件加最劣静态偏置退火168h, 或是在已被特性实验中证明将会使感兴趣参数(例如:速度,时间