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时钟与电源管理编程 1.设置时钟控制寄存器 假设输入时钟Fin=10MHz,锁定时间t_lock=200us,PLLCON控制器的MDIV=0,PDIV=0,SDIV=0,则n=2000, Fpllo=40MHz。系统进入正常模式。 Ldr r0,LOCKTIME //n= t_lock * Fin，(t_lock=200us, Fin=10MHz) = 2000 Ldr r1,=2000 str r1,[r0] ldr r0,PLLCON //temporary setting of PLL ldr r1,PLLCON_DAT //Fin=10MHz,Fpllo=40MHz,PLLCON_DAT=0 str r1,[r0] ldr r0,CLKCON ldr r1,=0x7ff8 //使能所有模块时钟即正常模式 str r1,[r0] 2.进入低功耗模式 在系统进入SL空闲或停止低功耗模式之前，将存储器DRAM/SDRAM 设置为自我刷新模式，然后控制CLKCON进入低功耗模式，等待直到被EINT[0:7]外部中断和RTC告警中断唤醒，存储器DRAM/SDRAM退出自我刷新模式，返回断点继续执行。 /*void EnterPWDN(int CLKCON)*/ EnterPWDN: mov r2,r0 //r0=CLKCON ldr r0,REFRESH ldr r3,[r0] mov r1, r3 orr r1, r1, #0x400000 //使能自我刷新模式 str r1, [r0] nop //等待进入自我刷新模式。 nop nop nop nop nop nop /*进入低功耗模式*/ ldr r0,CLKCON str r2,[r0] /*等待进入SL空闲模式或停止模式，并且等待直到被EINT[0:7]外部中断和RTC告警中断唤醒*/ mov r0,#0xff B0: subs r0,r0,#1 bne B0 /*被中断唤醒、存储器DRAM/SDRAM 退出自我刷新模式*/ ldr r0,REFRESH str r3,[r0] mov pc,lr 存储时序图 S3C44B0x的访存空间有6个ROM或SRAM Bank和2个ROM或SRAM或SDRAM Bank 它的32位的数据总线，地址总线，读写和各段片选信号均可直接引出片外，用户可以很方便地扩展各类存储器。 在访问外存时，S3C44B0的表现更为灵活，它的内部提供了很多的寄存器，用于控制总线宽度和存取时间等，每个Bank的访存参数都可以单独设置。 S3C44B0x的存取控制系统通过: BWSCON、BANKCON0~7、 REFRESH、BANKSIZE、 MRSRB6、MRSRB7 寄存器进行控制，可以精确设置访存的建立和时间、SDRAM的刷新等。 Tacs-----地址在nGS之前的地址建立时间 Tcos-----片选建立时间 Toch-----片选保持时间 Tcah-----片选无效后地址保持时间 Tacc-----读写操作时间 可以在0、1、2、4个时钟周期选项中设置； 读写操作时间Tacc的选项更多，可以设置成1、2、3、4、6、8、10、14个时钟周期。 图3-7 ROM/SRAM读写时序 如图3-7所示,首先将地址送到总线上，地址建立时间Tacs=2后,将片选信号nGCSx置0，即选中芯片，然后再将读信号nOE和nBE[3:0]（在使用SRAM情况下16字允许信号）置0，从片选有效到读信号有效的这段时间即Tcos，只有当片选和读信号同时有效时，此时开始读操作。 经过一定的延时，指定地址的数据将出现在存储芯片的数据总线上，可以读取数据。为了使数据能正确的读出和取走，读数后，读信号nOE和nBE[3:0]置1，此时片选信号仍要保持时间Toch=2之后，将片选置1，同时地址信号也需再保持时间Tcah=2，撤销地址，本次读操作结束。 图3-9 ROM/SRAM突发读时序 突发读就是指一次读操作可以读4、8或16个数据，由PMC（页模式配置）决定。 ROM/SRAM的读写操作都是一次对一个存储单元进行寻址，如果要连续读写就要对当前存储单元的下一单元进行寻址，也就是要不断的发送列地址与读写命令（行地址不变，所以不用再对行寻址）。 所