复习—09计算机工程.docVIP

复习提纲 1 绪论： 1、掌握放大电路的4种基本模型：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大 电压放大： 要求 RiRS ，RoRL ； 电流放大： 正好相反 放大器增益的表示方法，可以用对数形式表示，称之为波特图 2、放大电路的主要性能指标： 输入输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真 2半导体二极管及其基本电路 1、基本概念： 本征半导体、价电子、载流子、自由电子和空穴、 杂质半导体、P型半导体、N型半导体 2、1）PN结的形成：（由于浓度差）扩散运动，（内电场形成，少数载流子）漂移运动 扩散运动：浓度差引起的多数载流子的运动 ，扩散运动使空间电荷区变宽 漂移运动：少数载流子在电场作用下的定向运动，漂移运动使其变薄。 2）、PN结的单向导电性 外加正向电压时：扩散运动加强，PN结变薄，PN导通，呈现低电阻、大的正向扩散电流 外加反向电压时：内外电场方向一致，PN结变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移，PN结截止，呈现很小的反向漂移电流及高电阻。 结论：PN结具有单向导电性， 即 正偏导通，反偏截止。 3. PN结的伏安特性 4、半导体二极管V-I特性及基本参数 门槛电压（死区电压）、导通电压 1）最大整流电流IF ：指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 2）最高反向工作电压：VR= ? VBR （VBR为反向击穿电压。） 3）极间电容：在高频时要考虑极间电容。 势垒电容CB在反向偏置时较大 扩散电容CD在正向偏置时较大 4）最高工作频率：指二极管能保持单向导电性的最大频率。 超过了这个频率，二极管就失去了单向导电性。 5、二极管的模型分析法： 重点掌握 理想模型、恒压降模型 判断二极管导通与否的 优先导通原则 【例题1】、已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试分析二极管工作情况并画出ui与uO的波形，标出幅值。 【例题2】电路图所示，试判断是导通还是截止，并求出AO两端的电压VAO。设二极管是理想的。 6、特殊二极管： 稳压二极管 又称为齐纳二极管，工作在反向击穿区，稳压管的稳压作用在于，电流增量很大，只引起很小的电压变化。 【例题3】、稳压管Dz的稳定电压Vz=8V限流电阻R=3kΩ设Vi=12sinωt V，绘出VO的波形。 3 半导体三极管及放大电路 1、半导体三极管（BJT）： 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 结构：三个极（反射极、集电极、基极）、三个区（发射区、集电区、基区）、 两个结（发射结、集电结） 分类：NPN、PNP(按结构)；硅、锗（按材料） 要求会三极管各电极的点位 判断 三极管的类型 PNP：VCVBVE 如VBE=0.7V ，为硅管； 如VBE=0.3V (为锗管) NPN：VCVBVE 如VBE=0.7V ，为硅管； 如VBE=0.3V (为锗管) 2、BJT的内部载流子的传输过程 发射区：发射电子，形成发射极电流IE 集电区：收集电子，漂移运动形成集电极电流IC 基区：传送和控制载流子，电子在基区与空穴的复合形成基极电流IB （电子在基区一方面与很少一部分与空穴复合，大部分向集电结扩散） 3、BJT的电流控制作用（） 4、BJT的三种基本连接方式（共射、共集、共基） 5、晶体管的输入输出特性曲线 输入特性：输入特性曲线是描述基极电流iB与电压uBE之间的关系。 （uCE一定） 输出特性：是描述集电极电流iC与电压uCE之间的关系。 （iB一定） (1) 放大区： 条件：发射结正偏 集电结反偏 （对NPN 管 uBE≥Uon，且uBC 0） 曲线平行等距，iC与iB成线性关系，而与uCE无关，IC=(IB , 且 (IC = ( ( IB (2) 饱和区 条件：发射结正偏，集电结正偏 ，即uCE(uBE ， (IBIC， iC与iB无关，而随uCE的增大而迅速增大。 原因：uCE(1V，uCB (= uCE - uBE) 0 集电结正偏，收集电子能力减弱，出现发射有余 收集不足，此时 IC (IB 晶体管工作与饱和状态时的压降记为UCES ，小功率硅管UCES(0.3V~0.5V (3) 截止区 iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。iB= 0 时，iC = ICEO ( 0 。 发射区没有多子扩散（没有发射电子） 条件：发射结反偏（或正偏但uBE Uon），且集电结反向偏置。 两个放大系数：共基电流放大系数， 共射电流放大系数 6、共射极放大电路 直流通路，