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第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 11.1 双端MOS结构 复合系数 10.3.3 小结 11.2 电容-电压特性 11.3 MOSFET基本工作原理 11.4 频率限制特性 11.5 CMOS技术 复合系数 电荷中和 高斯定理 总电荷数 因为 合并(11.50) (11.53)和（11.54） 代入(11.45) p沟器件 11.3.4 跨导 非饱和区 饱和区 11.3.5 衬底偏置效应 饱和区： 11.4.1 小信号等效电路 * 第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 11.1.1 能带图 多子积累： 1）能带（向上）弯曲并接近EF； 2）多子（空穴）在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。 图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (a)加负栅压 多子耗尽： 1）表面能带向下弯曲； 2）表面上的多子浓度比体内少得多，基本上耗尽，表面带负电。 图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (b)加小正栅压 少子反型： 1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）； 2）表面区的少子数多子数——表面反型； 3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (c)加大正栅压 图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 图 11.7 n型衬底MOS电容器的能带图 (a)加正栅压 (c)加小负栅压 (c)加大负栅压 11.1.2 耗尽层厚度 11.1.3 功函数差 图 11.13 p型衬底MOS结构加零栅压时的能带图 (a) n多晶硅栅 (b) p多晶硅栅 复合系数包含表面效应 图 11.14 n型衬底MOS结构加负栅压时的能带图 复合系数 基极输运系数 发射极注入效率 共基极电流增益 共射极电流增益 11.1.4 平带电压 11.1.5 阈值电压 阈值反型点： 11.1.5 电荷分布 11.2.1 理想C-V特性 多子堆积MOS电容： 多子耗尽MOS电容： 阈值反型点最小电容： 少子反型MOS电容： 平带电容： 图 11.27 p型衬底MOS电容器 C-V特性 图 11.28 n型衬底MOS电容器 C-V特性 11.2.2 频率特性 11.2.3 固定栅氧化层和界面电荷效应 11.3.1 MOSFET结构 n沟道增强型 n沟道耗尽型 p沟道增强型 p沟道耗尽型 11.3.2 电流-电压关系 图 11.41 n沟道增强型MOSFET I-V特性曲线 非饱和区： 饱和区： 11.3.3 电流-电压关系---数学推导 假设： 1.沟道中的电流是漂移而非扩散产生 2.栅氧化层中无电流 3.利用沟道缓变近似 4.任何固定氧化层电荷等价于在氧化层-半导体界面处的电荷密度 5.沟道中载流子迁移率为常数 * 第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础