第12讲 半导体三极管与场效应管.pptVIP

4.不同类型 FET 转移特性比较 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 * * * * * * * * * * * * * * * * * 9.2 半导体器件（2） 四、半导体三极管 1、基本结构 1) NPN型 符号： 2) PNP型 C 集电极 B 基极 E 发射极 集电区 N P基区 发射区 N 集电结 发射结 E B C E B C 符号： C 集电极 B 基极 E 发射极 集电区 P N基区 发射区 P 集电结 发射结 IE IE IB IB 很薄且掺杂浓度最低 掺杂浓度最高 3)结构特点 掺杂浓度次之 这种结构特点是它具有电流放大作用的内在物质条件。 C 集电极 B 基极 E 发射极 集电区 N P基区 发射区 N 集电结 发射结 2、电流放大原理 发射结正偏、集电结反偏 .对 PNP 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： .对 NPN 型三极管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 即 ：VC VBVE 集电极电位最高 即 VE VBVC 发射极电位最高 B E C N N P EB RB EC RC IE IC IB IE IC IB 共射极放大电路 1)三极管放大的外部条件 UBE=0.3V,0.7V UBE= -0.3V,-0.7V 2)各极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.01 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.01 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 .三电极电流关系 IE = IB + IC .IC ?? IB ， IC ? IE .?IC ?? ?IB 基极电流的微小变化?IB能够引起较大的集电极电流变化?IC,这就是三极管的电流放大作用。 B E C N N P EB RB EC RC IE IC IB 3)三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBN ICN ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 基区的电子作为集电结少子，漂移进集电区被集电极收集，形成ICN。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 　发射极是输入回路和输出回路的公共端 共射放大电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 3、特性曲线 1)输入特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管，UBE ≈ 0.7V PNP型锗管，UBE ≈ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O UBE IB + – RB EB 2)输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 输出特性曲线通常分三个工作区： IC mA UCE IB EC V + – – + IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 放大区 ①放大区 在放大区有 IC=? IB ，称为线性区，具有恒流特性。 发射结正偏、集电结反偏，晶体管工作于放大状态。 ②截止区 IB = 0 以下区域，有 IC ? 0 。 发射结、集电结均反偏，晶体管工作在截止状态。 ③饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作在饱和状态。 IC ?IB 发射结、集电结均正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 饱和区 截止区 UCES 4、主要参数 1)电流放大系数： 、? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值