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第1章第4节 功率晶体管_808801702.pdf
电力电子技术基础
第 节功率晶体管
4
第 节功率晶体管
4
第第 节节功功率率晶晶体体管管
44
EEA, THU
功率晶体管( )
BJT
功率晶体管( )
BJT
功功率率晶晶体体管管(( ))
BBJJTT
Bipolar junction transistor, Power transistor,
Giant transistor (GTR).
1、结构、工作原理、符号和达林顿结构
C C C
C
N P
B P B N
N E B P B
E
E
E
EEA, THU
达林顿结构
达林顿结构
达达林林顿顿结结构构
单只功率晶体管的放大倍数较小功率晶体管小很多,通常为10左右。
电流控制器件,全控器件
EEA, THU
2、工作特性
2、工作特性
22、、工工作作特特性性
与小功率晶体管基本一样
EEA, THU
3、主要参数
3、主要参数
33、、主主要要参参数数
1) 电压定额(一次击穿电压)
实际使用时必须留有余量
EEA, THU
3、主要参数(续)
3、主要参数(续)
33、、主主要要参参数数((续续))
2) 电流定额:a.集电极持续电流 I (通常取
C
I =I /2)
C CM
b.集电极最大电流I (直流放大系数下
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