离子注入技术现状与发展趋势.pdfVIP

EPE 电子工业专用设备 Equipment for Electronic Products Manufacturing ·趋势与展望· 离子注入技术现状与发展趋势 本刊编辑部 摘 要： 离子注入制程已成为器件设计的最前端工作， 现在更被视为实现32 nm 和22 nm 晶体 管制程的推动要素。 器件漏电流、浅结面制作，器件尺寸缩小，以及急速增加成本的挑战，正在限 制摩尔定律的延伸。 针对 32 nm 节点离子注入制程器件的工艺要求，介绍了离子注入设备的发展 方向。 关键词： 32 nm 节点器件； 漏电流控制； 超浅结注入； 大束流低能注入； 单晶片注入； 机械扫描 中图分类号： TN305.3 文献标识码： A 文章编号： 1004-4507(2009)10-0001-08 The Technology Status and Development Trend of Ion Implantation Editorial Office of EPE Abstract: The ion implantation process has become a front-end work of device design, and now even been viewed as the realization of 32 ～22 nanometer transistor process driven element. The device drain current, shallow junction implantation, the device dimensions shrink, as well as the challenges of rapid increase in costs, are limiting the extension of Moores Law. This paper describes the direction of development of ion implantation equipment in connection with the 32 nm node device ion implantation process technological requirements. Keywords: 32 nm Node Devices; Drain Current Control; Ultra-Shallow Junction Implantation; Large beam low-energy Implantation; Single-Chip Implantation; Mechanical Scanning 离子注入是现代集成电路制造中的一种非常 能量和掺杂剂量。杂质种类是指选择何种原子注入 重要的技术，它是利用离子注入机将特定的杂质原 硅基体，一般杂质种类可以分为N 型和P 型两类， 子以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其 N 型主要包括磷，砷，锑等，而P 型则主要包括硼， 导电特性并最终形成晶体管结构，实现半导体的掺 铟等。注入能量决定了杂质原子注入硅晶体的深 杂。现代硅片制造过程中，离子注入主要用于掺杂 度，高能量注入得深，而低能量注入得浅。掺杂剂量 半导体材料。它能够重复控制杂质的浓度和深度， 是指杂质原子注入的浓度，其决定了掺杂层导电的 已成为硅片制作要求的标准工艺。 强弱。通常半导体器件的设计者需要根据具体的目 现代的半导体制造工艺中制造一个完整的半 标器件特性为每一步离子注入优化以上这些工艺 导体器件一般要用到许多步(20 ～25 步) 的离子注 参数。 入。离子注入的最主要工艺参数是杂质种类，注入 当制程进入32 nm 与22 nm 制程后，由于对平 Oct． 2