电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响.pdfVIP

物理 学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．20(2014) 208501 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物 半导体场效应管击穿电压的影响冰 杨帅 ) 汤晓燕 ) 张玉明) 宋庆文2)十 张义门) 1)(西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件实验室，西安 710071) 2)(西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院，西安 710071) (2014年4月l3日收到；2014年6月13日收到修改稿) SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 (VDM0SFET)相对于常规VDMOSFET在相 同导 通 电阻下具有更大击穿 电压．在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构 中的P柱是制造SiC半超结 VDM0SFET的关键工艺．本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H—SiC超结和半超结 VDM0SFET击穿电压的影响，在 电荷失配程度为30％时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压．在本 文的器件参数下，P柱浓度偏差导致击穿电压降低 15％时，半超结VDM0SFET柱区浓度偏差范围相对于超 结VDMOSFET可提高69．5％，这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低，工艺制造难 度更低． 关键词：SiC，半超结，电荷失配 PACS：85．30．Tv，71．20．Nr，85．30．De DOI：10．7498／aps．63．208501 压提高和导通电阻降低存在矛盾，导通电阻与击穿 1 引 言 电压的2．43次方成正比4【J_而超结和半超结可以改 进这种关系 [5】_“超结理论”由Tatsuhiko等 [0】1997 碳化硅具有优 良的电学和物理特性，它的临界 年提出，其关键结构 由交替的N柱和P柱组成 击穿电场高，禁带宽度大，热导率高，这使得它十分 加入超结和半超结结构可 以大大提高VDMOS的 适合应用在高温高压领域 L1，2]．由于材料优 良性能， 击穿电压，降低导通 电阻Is ，结构如图1所示． SiCMOSFET f金属氧化物半导体场效应管)具有 但是超结和半超结不允许N柱和P柱掺杂浓度有 低的导通 电阻、高击穿电压、低漏 电流 3【】． 太大偏差，柱区电荷失配 (chargeimbalance)[11】会 纵 向器件结构的功率MOSFET主要分为U一 导致反向阻断特性降低，器件性能变差．而SiC注 型槽MOSFET fverticalU—grooveMOS1和VD— MOSFET (verticaldoublediffusedMOS)，其 中 入深度浅，需要多次交替离子注入和外延生长，增 VDM0SFET既有纵 向器件 的面积小的优点，同 加了制造柱区的工艺难度． 时又基于平面工艺，易于制造，而且对栅介质的要 在Si器件 中，无论是超结器件还是半超结器 求远没有UMOSFET高．因此垂直双扩散金属氧 件，电荷失配越严重，击穿电压越低，击穿电压在N 化物半导体 fVDMOS1是应用最广、最常见的功率 柱与P柱掺杂浓度相等时达到最大 [12,13]．而在SiC MOS器件． 器件中，Yu等 [11]也对超结结构的电荷失配进行了 SiCVDMO