第四章 硅的体单晶生长和硅片加工.docVIP

第四章 硅的体单晶生长和硅片加工 4．1 概述 如果认为硅的提纯是典型的化工过程的话，那么从高纯度的多晶硅生长单晶硅则是半导体器件制造的第一步。虽然尝试过各种技术来将多晶硅转变为单晶硅，最后只有两种技术被应用于单晶硅的实际生产——直拉法和区熔法。这两种方法之所以得到应用是因为它们能够满足半导体器件制造的需要。生长出的硅单晶锭还需要经过截断、切割成薄片、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等工序才能成为可以提供给器件制造者的硅片。 现代的半导体工业需要高纯度、高度完整性的硅单晶片作为制造半导体器件的基本材料，以保证器件制造的成品率和器件的性能；微电子器件制造还要求硅片表面的高平整度和高清洁度。随着半导体器件制造技术朝着集成度越来越高的方向发展，这方面的要求也越来越严格。当今计算机的运算、存储功能不断提高，面对大批量、低成本芯片的需求，除提高硅单晶质量外，为提高生产效率、降低成本，晶体直径越来越大[14]，现今8”和l2”直拉硅单晶已规模生产，且直径有继续增大的趋势。 晶体生长技术和硅片加工技术正是在这样的需求的推动下在不断发展着。 4．2 硅单晶的CZ法生长 4．2．1 CZ法的基本原理 切克劳斯基法(Czochralski method)是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法，又称直拉法、提拉法(简称CZ法)。因波兰人J．Czochralski[8]于1918年曾用此法测定结晶速率而得名，美国人G．K．Teal和J．B．Little[9]于1950年首先用此法拉制出锗单晶。接着Teal和Buehler[10]采用石英坩埚用此方法制备出硅单晶。CZ法生长硅单晶已有40多年的历史，通过不断改进，其生长工艺已日趋成熟。晶体的直径不断增大，缺陷不断减少。杂质分布的均匀性也不断得到提高。在这段时间中作出重大贡献的有Keller[6]首先提出采用细籽晶可以显著减小FZ硅单晶的位错密度(对CZ硅单晶具有同样的意义)，在此基础上Dash[17～19]提出了完整的无位错硅单晶生长工艺，并对其机制作出了解释。Ziegler[20]提出了快速引晶拉出细晶的方法。近30年来CZ法硅单晶生长技术发展的概况如表4．1所示。 CZ法的基本原理示于图4．1，多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长与生长成的单晶的质量，拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、坩埚和生长成的单晶的旋转与升降速率，炉内保护气体的种类、流向、流速、压力等。  4．2．2 生长系统中的热流 生长系统中的热量传输过程对晶体的直径、生长速率、固液界面的形状，晶体缺陷的形成和生长都起着决定性的作用[22]。拉晶时的热流路径如图4．2所示。 当晶体稳定生长时，单位时间内由熔体传到生长界面的热量QL加上释放的潜热等于由生长界面向晶体传导的热量QS，而热量QS又等于向籽晶传导损失的热量QS和晶锭表面的对流传热QC 及  辐射损失的热量QR 之和。即有 而 由式(4．1)得到生长速率v为： 式中，Ks和KL分别为晶体和熔体的热导率， 和 分别为界面附近的晶体和熔体中的纵向 温度梯度，L为结晶潜热，ρ为密度。 由式(4．3)可以看出，当熔体中的温度梯度越小， 而晶体中的温度梯度越大时，生长速率越高，由于 不可能为负值，最大生长速率‘[21] 由式(4．4)可知，最大生长速率取决于晶体中温度梯度的大小。提高晶体中的温度梯度，能提高晶体生长速率。但晶体中的温度梯度过大将会引起大的热应力，造成位错的产生。 4．2．3 熔体中的对流 坩埚中的熔体流动是受以下四种驱动作用的驱动而产生的：(a)温度差所产生的热对流。(b) 表面张力所产生的表面对流[23]。(c’)晶体旋转所产生的强制对流。(d)坩埚旋转所产生的强制对流。这四种驱动作用单独存在时熔体流动的对流图形分别如图4．3所示。 四种对流中，以温差产生的热对流和晶转产生的的强制对流最为重要。 熔体中温度差产生的热对流如图4．3(a)所示，热熔体沿坩埚壁上升，到坩埚中心下降。具体图形取决于坩埚的几何图形，熔体的直径与高度比，以及热边界条件。 在CZ工艺中，加热器从坩埚侧面供热，熔体从坩埚侧面至坩埚中心的温度梯度，大于底部至表面的温度梯度。在3．5节中讨论过由于水平温度差而引起的熔体的热对流可用格拉斯霍夫数表示： 式中g为重力加速度，β为热膨胀系数，l是特征长度(坩埚半径或熔体深度)，△T是熔体在特征长度上的温度差，v为熔体的动力学粘度。对于坩埚底部受热的讨论，则可以用瑞利数 代替格拉斯霍夫数。K是熔体