高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究.pdfVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究 ， １ １ １ １ １ １ 韩德俊 孙彩明 盛丽艳 张秀荣 张海君 闫凤章 　 　 　 　 　 １ ２ ２ 杨 茹 张 录 宁宝俊 　 　 　 　 （ 北京师范大学低能核物理研究所，北京 ） １ １００８７５ 　 （ 北京大学微电子学研究所，北京 ） ２ １００８７１ 　 摘要：报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结 集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果 在穿通电压附近  ． （ ）， 波长的光入射及 入射光功率条件下，器件的响应度为 ／ ；工作在发射结 集电结接近 ４０犞 ０８３犿 ０１５狀犠 ３８犃 犠  μ 穿通状态时线性度最好，在 光功率（ 个数量级）范围内，线性因子为 ，接近于 ０１５ １５００狀犠 ４ ０９９５４ 犎犪犿犪犿犪狋狊狌 ～ 光电二极管在同一光功率区间内的线性因子（ ）另外，这种光晶体管的增益在 左右且增 犛１２２７１０１０犅犙 ０９９８２． １３０ 益的起伏在 以内时，偏压的变化允许在 以内（ ），温度的变化可允许 其增益对偏压及温度 １％ ２５％ ４０犞±１犞 ±２℃． 的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管． 关键词：光晶体管；区熔硅；灵敏度；线性度 ： ； ； 犘犃犆犆 ９５８０犖 ２９４０ ８１６０犆 中图分类号： ＋ 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３１２ ４ 犃