ZnO_Si异质结的光电转换特性研究.pdfVIP

第 57 卷 第 7 期 2008 年 7 月 物 　理 　学 　报 Vol . 57 ,No . 7 ,July ,2008 ( ) 10003290200857 07 447105 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc . ZnOSi 异质结的光电转换特性研究 张伟英 　邬小鹏 　孙利杰 　林碧霞 　傅竹西 ( 中国科学技术大学物理系 ,合肥 　230026) (2007 年 11 月 14 日收到 ;2007 年 12 月 12 日收到修改稿) 　　利用直流反应溅射方法在 p 型 Si 衬底上生长掺 Al 的n 型 ZnO 薄膜 ,测量了由n 型 ZnO 薄膜和 p 型 Si 衬底组 成的异质结在黑暗和光照条件下的 IV 特性 ,结果表明该异质结具有优 良的整流特性 ,而且在光照条件下的反向 电流迅速增大并很快趋于饱和. 通过测量 ZnO 薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应 ,初步分析了异质结的 光电转换机理. 测量结果显示 ,在入射光波长为 380 nm 时光电流强度明显下降 ,反映出光电流与 ZnO 薄膜禁带宽度 的密切关系 ; 同时还发现 ,在与 ZnO 禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反. 推测这一现象与异质 结的能带结构密切相关. 关键词 : ZnO 薄膜 , 异质结 , 光电转换 , 光谱响应 PACC : 7240 , 7340L , 7320A 两种材料的禁带宽度不同 ,利用这种窗口效应可以 1 引 言 提高入射光的收集效率 ,理论上可以获得比同质结 Si 光电池高很多的转换效率. 但 目前该类太阳能电 为了缓解当前能源危机和减少环境污染 ,太阳 池实际所达到的转换效率远低于理论预期的结果 , 能电池的研究日益引起每个国家的重视. 根据所用 同时还存在重复性差的问题 ,因此 ,有必要深入开展 材料的不同 ,太阳能电池可分为硅太阳能电池 、多元 光电转换机理的研究 , 以期找出提高 ZnOSi 太阳能 化合物薄膜太阳能电池 、聚合物多层修饰电极型太 电池光电转换效率的途径. 阳能电池 、纳米晶太阳能电池四大类. 其中硅太阳能 本文利用直流反应溅射方法制备了 ZnOSi 异 电池 目前发展最成熟 ,应用最广泛. 质结构 ,研究了样品的光电转换特性 ,并通过对光生 计算和实验结果均证实 , 用禁带宽度为 08 电流和光生 电压的光谱响应特性的分析 , 讨论 了 eV —15 eV 范围内的半导体材料制作的太阳能电 ZnOSi 的光电转换机理. 池 ,对太阳光的利用效率最高 , 占太阳光投射能量的 50 %左右[ 1] . Si 的禁带宽度为 11 eV ,正好属于上述 2 实 验 范围. 在 以往制备 Si 太阳能电池时 ,通常采用 TIO 做透明电极 ,TIO 的制作成本较高 ,而且对紫外波段 　　利用直流反应溅射方法在 p 型 Si ( 100) 衬底上 有强烈的吸收 ,影响了对太阳光的充分利用 ,因而促 制备了掺 Al 的 ZnO 膜 ,实验所用的p 型 Si ( 100) 基 使人们寻找新的透明电极. 作为一种宽禁带半导体