集成电路工艺基之氧化.pptVIP

Introduction 硅易氧化 几个原子层厚，1nm左右 氧化膜化学性质稳定，绝缘性好 SiO2的存在形态 晶体：石英、水晶等 石英砂，主要成分为SiO2 ，为制备硅原料的核心材料 非晶体：玻璃等（热氧化方法制备的SiO2） SiO2的作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 2.1.1 SiO2的结构 结晶形SiO2的结构 结晶形SiO2是由Si-O四面体在空间规则排列所构成。每个顶角上的氧原子都与相邻的两个Si-O四面体中心的硅形成共价键，氧原子的化合价也被满足。 无定形SiO2的结构 Amorphous SiO2 中Si-O-Si键角为110 o~180o 桥键氧：与两个相邻的Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥键氧：只与一个Si-O四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥键氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小……… 无定形SiO2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 SiO2结构在制备工艺中的应用 硅要运动，打破四个O—Si 键 氧要运动，打破两个O—Si 键，对