氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响.docVIP

本文由飒飒小燕子贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第 $) 卷 第 ! 期 #%%1 年 ! 月 ( 6%$$%$ !%%%(#1%6#%%16$) %!) 物 理 学 报 R:SR .-T+U:R +UVU:R GW=0 $), !, VW0 X/4E/YZ, #%%1 #%%1 :?,40 .?Z70 +WB0 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响 ! #) 邱胜桦!) 陈城钊!) 刘翠青!) 吴燕丹!) 李 平!) 林璇英!) 黄 ( !)韩山师范学院物理与电子工程系,潮州 ( #)汕头大学物理系,汕头 $#!%!) #) 余楚迎#) $!$%() (#%%) 年 月 !% 日收到; #%%) 年 * 月 ( 日收到修改稿) 以 +,- 与 -# 为气源, 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 在较高的压强 #(% ./) 研究氢稀释率对 ( 下, 纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响 0 实验表明, 薄膜的晶化率, 晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加, 当 氢稀释率为 112 , 薄膜的晶化率接近 *%2 0 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加, 当氢稀释率从 112 减小到 薄膜的沉积速率由 %3( 4567 增加至 %3) 45670 1$2 时, 关键词:纳米晶硅薄膜,氢稀释,晶化率,硅烷 !##:*)(%,*(%8,*%9,)!% !3 引 言 , 因而 %3$ N67)这样低的沉积速率影响了生产效率, 难以形成大规模生产, 不适合推广应用 0 为了提高 沉积速率, 必须加大射频辉光放电的激励功率, 然 而, 大的激励功率可能造成高能量的离子对薄膜生 长表面的轰击, 影响材料的质量 0 为了解决这一矛 , 盾, 我们采用高的反应气压 O !(% ./) 匹配比较高 ( 的激励功率密度 O ! I6B5# )这样既可加快等离子 ( , 体区 +,- 的分解速度, 同时增加原子氢的密度, 降 低等离子体中电子温度, 从而降低离子对薄膜生长 表面的轰击能量 0 在我们实验室, 用常规的 !(3$ 在 ( J-P 的 F8.;:GH 系 统, 高 氢 稀 释 氢 稀 释 率 条件下, 可以制备出沉积速率达 ) N67, 晶化 O 1$2 ) 率大于 %2 的纳米晶硅薄膜 0 本文用 F/5/4 谱, 原 子力显微镜, 傅里叶红外透射谱, QG)$%% 紫外可见 光分光光度计等有效分析工具分析了氢稀释率对纳 米晶硅薄膜晶化特性和沉积速率的影响, 讨论氢在 纳米晶硅薄膜形成和生长中的作用 0 近年来在硅基光电薄膜制备中常用的方法有射 频等离子体增强化学气相淀积法 F8.;:GH) 甚高 ( , , 频等离子增强化学气相沉积 G-8.;:GH) 电子回 ( , 旋共振化学气相沉积 ;:F:GH) 热丝化学气相沉 ( 和脉冲调制射频等离子增强化学气相 积 -I:GH) ( [!—$] 沉积 .JF8.;:GH) 等 0 而用 F8.;:GH 方法制 ( 备的薄膜比用其他方法制备的要好得多, 比如有较 低的隙态密度和较大的光电导等, 而且容易实现非 晶半导体的掺杂效应, 制造出薄膜太阳能电池和薄 膜晶体管等电子器件 0 用高氢稀释硅烷, 采用 F8.;:GH 技术进行薄 膜制备, 在低温下 K (%%L ) ( 可以制备氢化微晶硅 氢 ( :+,: ) 在这种 方 法 中, 起 到 非 常 重 要 的 作 - 0 ! 用, 一方面, 氢能够钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬 挂键, 断开弱的 +,— +, 键, 降低薄膜缺陷态密度, 提 高薄膜的稳定性, 改善薄膜的光电性能 0 另一方面, 大量的活性 - 与沉积到表面的 +,-( ! M !—() 发生 ! 的放热反应放出大量的热量, 提高了表面的有效温 度, 增强了化学退火效应, 从而极大地促进低温晶 低压 的 化 0 但传统采用的低温, ( K *% ./) F8.;:GH 技术制备的氢化微晶硅薄膜, 沉积速率很低 %3#— ( (批准号: 资助的课题 0 8:#%%$%)) !韩山师范学院基金 ;5/,=:7?@ ?7AB0 CDE0 B4 # 3 实验方法 用等离子体化学气相沉积法制备薄膜已有详细 报道 [, *] 0 本 实 验 所 用 .;:GH 薄