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一种用于大功率IGBT的驱动电路.pdf
2010 年第32 卷 电气传动自动化 Vol．32 ，No．1
第 1 期第27 页 ELECTRIC DRIVE AUTOMATION 2010，32 （1）：27～30
文章编号：1005—7277 （2010）0 1—0027—04
一种用于大功率IGBT 的驱动电路
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王 方 ，党怀东 ，杨有涛 ，张 婉
（1. 兰州长城电工股份有限公司，甘肃兰州730000 ；
2. 天水电气传动研究所有限责任公司，甘肃天水741020 ；
3. 兰州市市政工程管理处，甘肃兰州730000）
摘要：对大功率 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor ，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动
功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。
关键词：IGBT ；开关特性；驱动
中图分类号：TN386.2 文献标识码: B
Research on driving circuit for high-power IGBT
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WANG Fang , DANG Huai-dong , YANG You-tao ，ZHANG Wan
（1. Lanzhou Great Wall Electrical Co ., Ltd., Lanzhou 730000, China;
2. Tianshui Electric Drive Research Institute Co., Ltd., Tianshui 741018, China；
3. Lanzhou Munipal Engineering Adminstration Department, Lanzhou 730000, China）
Abstract ：The switch characteritics, drive wareform, drive power and wiring of IGBT are analyzed and discussed.
A typical driving circuit for high power IGBT is also introduced.
Key words ：IGBT; switch characteristics; drive
1 引言 电容充电阶段和栅极-发射极电容充电直到IGBT
完全饱和阶段。
IGBT 是MOSFET 和双极晶体管的复合器件。
V
CC
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