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一种适用于推挽电路的低损耗型IGBT吸收回路_伍家驹.pdf

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一种适用于推挽电路的低损耗型IGBT吸收回路_伍家驹.pdf

2000 年 6 月                南昌航空工业学院学报 J une . 2000 第 14 卷第 2 期        Journal of Nanchang Institute of Aeronautical Technology Vol . 14  №2 一种适用于推挽电路的低损耗型 I GB T 吸收回路 伍家驹  刘桂英  魏少华 (南昌航空工业学院 测控工程系  江西 南昌 330034) 摘  要  本文提出了一种适用于推挽线路的 I GB T 低损耗吸收回路 ,分析了该电路的工作原理 。进行         了能量损耗地计算 ,并与传统电路进行了比较 ,提供了实验数据 。 关键词  I GB T  吸收回路  推挽 中图分类号  TM92 1 1. 1  I GB T 吸收回路的特点及桥式电路的吸收回 前言 路 推挽这种拓朴结构尽管有比单相全桥结构所用 du 对 I GB T 来说 ,它的允许电压变化率 和电流 的电力电子器件少以及通过变压器输出实现了电的 dt di 隔离等优点 ,但是由于在功放管两端存在着两倍的 变化率 都很高 ,但是它的耐过电压的能力却较差 , dt 直流电源电压 ,所以一直被用于直流电源电压较低 , 所以要充分发挥 I GB T 的功能就必须限制其浪涌电 输出功率较小的装置中。近年来 ,随着集高压电、大 压 。在桥式电路中通常采用的低损耗型吸收回路如 电流 、高频率诸优点于一身的 I GB T 之普及 ,从器件 图 1 所示 : 上为我们发挥拓朴结构是推挽形式的功率变换器的 1. 2  现行推挽电路的吸收回路 长处创造了条件 。由于推挽线路在器件的连接方式 在桥式电路的一个桥臂中 , I GB T 是通过集 电 上有其特殊性 ,桥式电路中被广泛采用的低损耗吸 极和发射极是连在一起的。而推挽线路中两个 I G 收回路将难以直接利用 ,从而使得吸收回路体积大 , B T 的发射极是连在一起的 , 因此难以直接按照图 1 损耗高 , I GB T 的功能却得不到充分地发挥 。作者 接成低损耗型的吸收回路 。通常常用的方法[ 1 ] 如 对推挽回路的吸收回路进行了分析 ,研究出了一种 图2 所示 。 适用于推挽线路的低损耗吸收回路 ,并进行了电路 计算和实验 。 1  电路结构和动作概要 图2  推挽线路现行的吸收回路 当 T1 导通时 ,C1 存储的能量将部分消耗在 R1 上 ,并且增大 T1 的导通电流 ;当 D4 续流时 ,C2 中存 储的能量也将消耗在 R2 上 ,并增大 D4 的电流 。 图 1  桥式线路的低损耗型吸收回路

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