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第四章 表面钝化 太阳电池中的表面复合引起光生载流子的损失，导致太阳电池光电转换效率降低。复合过程通过半导体禁带中的缺陷能级（表面态）发生。关于半导体硅中非平衡载流子的复合机制，有许多专门研究的著述。主要有Shockley，Read及Hall独立地发展出来的以载流子通过缺陷能级复合的模型，通常称为Shockley-Read-Hall理论（SRH理论）。后来Dhariwal 等人[28]通过引入弛豫时间拓展了标准的SRH理论。在下面的讨论中，将引用这些有关著述中的重要结论。 4.1 半导体硅中非平衡载流子的复合 在一定温度下处于热平衡状态的半导体，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。热平衡状态下的电子浓度和空穴浓度分别用n0和p0表示，在非简并半导体中，它们之间有如下关系： （4-1） 本征载流子浓度ni只是温度的函数。（4-1）式是非简并半导体处于热平衡状态的判据。 当半导体受到外界作用（光、电或者其他形式的能量注入），有外界能量注入半导体时，如果注入能量大于半导体材料的能隙宽度，价带上的电子获得能量后就会跃迁到导带上，同时在价带上留下空穴（这个过程叫做产生）。此时，载流子浓度发生改变而偏离了热平衡状态。比平衡载流子多出来的这一部分载流子，叫做非平衡载流子，也叫做过剩载流子。记为 （4-2a） (4-2b) 热平衡状态下，n型半导体中，p型半导体中。能带如图4.1所示。 图4-1 光照产生非平衡载流子 当具有足够能量的光子照射到半导体上时，就能够把价带上的电子激发到 导带上去，产生电子—空穴对，使导带上比平衡时多出一部分电子，价带上比平衡时多出一部分空穴。对于p型半导体而言，为非平衡少数载流子，为非平衡多数载流子。n型半导体中可以作类似的定义。 用光照使半导体中产生非平衡载流子的方法，叫做非平衡载流子的光注入。在半导体中注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度时 （例如p型半导体中，），叫做小注入。例如1Ω·cm的p型硅中，，，若注入非平衡载流子水平时，为小注入。但是即使在小注入条件下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多，它的影响就很重要，而相对来说非平衡多数载流子的影响可以忽略不计。在半导体中实际上通常是非平衡少数载流子起着支配作用，通常说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。光注入必然引起半导体的附加电导率（光电导）： （4-3） 当产生非平衡载流子的外界作用撤除后， 由于半导体内部存在着与产生过程相反的过程，即，导带上的电子会回到价带某一个空穴的位置上，同时释放出过剩的能量（这个过程叫做复合）。载流子浓度又会恢复到它们的热平衡值。 实际上，热平衡不是一种绝对静止的状态，半导体中的载流子—电子和空穴—总是不断的产生和复合，在热平衡状态，产生和复合处于相对平衡，单位时间内产生的电子和空穴数目与复合掉的数目相等。恒定的注入在半导体样品中产生一个新的稳态条件,它被认为是电子-空穴对的产生速率与复合速率严格相等的结果。 4.2体复合* 为了对表面复合的基本细节提供一个基础的理论理解, 我们首先介绍体硅材料中三种基本的复合过程： 直接复合（辐射复合） 带间俄歇复合 通过缺陷能级的复合 对于表面复合，在数学模型上将通过缺陷能级的复合等效为表面复合。我们首先讨论均匀掺杂,无限厚度，无外加电场情形下，主要参数例如：缺陷能级，电子和空穴的俘获截面，掺杂水平和体注入水平）对复合速率的影响。忽略电场影响的假设可以极大地简化硅片中电子浓度和空穴浓度的计算。特别是不存在载流子陷阱时，过剩电子浓度和空穴浓度相等（△n = △p）。但是，忽略电场的条件通常与实际硅片的表面严重不符，这也是为什么表面载流子浓度（以及表面复合速率）的计算比无电场硅片中体复合速率的计算复杂的主要原因。 假如载流子陷阱和电场可以忽略，并且每个光子产生同样数量的电子-空穴对，样品中过剩电子和空穴浓度相等：Δn=Δp。这种情形下，对于n型及p型材料，每一个复合过程的载流子复合寿命时间τ可以定义为： τ≡Δn／U （4-4） U是净复合速率，Δn ≡ n－nO和Δp ≡ p－pO 为过剩载流子浓度，n和p分别是电子和空穴浓度，nO和pO分别是热平衡电子和空穴浓度。假设少子寿命τ为常数，根据方程式（4