倒装结构大功率蓝光LEDs的研制.pdfVIP

维普资讯 电 子 ·撒 光 第 17卷 第 6期 2006年 6月 JournalofOptoelectronics·Laser Vo1．17No．6 Jun．2006 倒装结构大功率蓝光 LEDs的研制 伊 晓燕，郭金霞，马 龙，王立彬 ，陈 宇，刘志强，王 良臣 (中科院半导体所 ，北京 100083) 摘要 ：从器件制作角度人手 ，对基于III族氮化物的功率型蓝光 LEDs结构和电极体系进行 了优化设计 。 采用梳状结构、高反 电极体系及倒装焊技术 ，研制 出大功率蓝光 LEDs，在 350mA工作 电流下，工作 电 压为 3．3～3．5V，输 出功率达 137．71mw ，反向 5V 电压下的漏电流小于 1 A。 关键词 ：大功率 ；LEDs；梳状结构 ；高反电极 ；倒装结构 中图分类号：TN312+．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—0086(2006)06—0693—04 RresearchandFabricationofFlip—chip High—powerBlueLEDs YIXiao—yan，GUO Jin—xia，MA Long，WANG Li—bin，CHEN Yu，LIU Zhi—qiang， W ANG Liang—chen (InstituteofSemconductors，ChineseAcademyofScience，Beijing100083，China) Abstract：ThedesignofgroupIII-nitridebasedblue lightemittingdiodes (LEDs)hasbeen optimized．LEDsarefabricatedbyusingfinger-designand highly reflectingmetallizations asohm iccontactsand opticalreflectors．LEDsflip chip having outputpowerashigh as 137．71mW foracurrentof350mA withoperatingvoltagetypically3．3～ 3．5V hasbeen demonstrated．Theleakagecurrentislessthan 1laA atareversevoltageof5V． Keywords：high．power；lightemittingdiode(LEDs)；finger．design；reflective．P．metaI；flip．chip 1 引 言 2 结构设计 20世纪 90年代初期开发出基于 III族氮化物的 功率型 LEDs输入功率一般为 1w 或者 以上， 蓝光 LEDs，从而使得 LEDs发光光谱覆盖整个可见 工作电流高达 350mA，承受如此大 的电流 ，需要增 光范围，解决 了LEDs缺色的问题 ，用于照明的白光 大芯片面积 (通常选用 1mm。)，更为重要的是优化芯 LEDs的研制也 因此成 为可能 。目前 白光 LEDs的 片结构设计 。由于蓝宝石衬底 的绝缘性 ，基于 III族 光效大约为 50lm／W ，距离民用照明所要求的 160～ 氮化物 的 LEDs通 常采用平面 电极结构 。功率型 200lm／W 的指 标 还有 相 当远 的距 离。构 成 白光 LEDs在设计时 ，不能简单地将如图1(a)所示的传统 LEDs的三基 色中，蓝光 LEDs效率最低 ，因此 成为 小功率 LEDs结构按比例增大 ，因为随着电流密度 的 制约