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光电传感器综合实验 【实验目的】 1. 学习各种光电传感器的工作原理、基本物理特性和测量方法。 2. 自主设计测量方案，测试各类光电传感器的伏安特性、光照特性、光谱特性并进行分析 总结。 【实验内容】 1. 搭建测试系统，测量光敏电阻的伏安特性、光照特性。（必做） 2. 搭建测试系统，测试光电二极管或光电三极管的伏安特性、光照特性。（必做） 3. 搭建测试系统，测试硅光电池的伏安特性、光照特性。（必做） 【课前预习】 1. 查阅参考文献资料，学习各种光电传感器的工作原理及物理特性。 2. 思考伏安特性、光照特性、光谱特性测试的实现方法。 【实验原理】 1、光敏电阻 光敏电阻是利用半导体光电导效应制成的一种特 殊电阻，对光线十分敏感，它的电阻值能随着外界光 照强弱（明暗）变化而变化．它在无光照射时，呈高 阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。光敏电 阻通常由光敏层、玻璃基片（或树脂防潮膜）和电极 等组成的，如图1所示。 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为 内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电 图1 光敏电阻结构图 效应的光电元件。当内光电效应发生时，固体材料吸 收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数 增加，使材料的电导率增加，电导率的改变量为 ∆σ = ∆p⋅e⋅µ +∆n⋅e⋅µ （1） p n 在（1）式中，e为电荷电量， 为空穴浓度的改变量，∆n 为电子浓度的改变量，µ表示迁 ∆p 移率。 当两端加上电压U后，光电流为： A I = ⋅∆σ⋅U （2） ph d ∆σ 式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下， 为恒定的值， 因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值 随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。 当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图2 光敏电阻的伏安特性曲线 图3 光敏电阻的光照特性曲线 当光电器件电极上的电压一定时，光电流与入射到光电器件上的光照强度之间的关系称 为光照特性。光敏电阻的光照特性则如图3所示。不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但 是在大多数的情况下，曲线的形状都与图3的结果类似。由于光敏电阻的光照特性是非线性 的，因此不适宜作线性敏感元件 ，这是光敏电阻的缺点之一。所以在自动控制中光敏电阻 常用作开关量的光电传感器。 光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏 度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响 应。图4为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。 对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同 的，而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。 100 100 80 80 ) % ) 6