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( ) PV K 掺杂体系的光致发光和 电致发光特性 。制备了结 现 ,随着钒酸根含量的增加 ,样品的激发带发生红移 ,这样 构分别为 indiumtinoxide ( ITO ) / PV K ∶PFC/ bat hocu 的激发带能够满足 白光 L ED 用荧光粉的激发要求 。在 ( ) ( ) ( ) 3 + 3 + p roine BCP / t ri s 8hydroxylquinoline aluminum Alq3 / Tm ,Dy 共掺杂的样品中观测到了全色的发射 , 并且 Mg ∶A g , ITO/ PFC/ BCP/ Alq / Mg ∶Ag 和 ITO/ PV K/ 红 、绿 、蓝 3 个发射组分的比例也可以调整 。计算了不同 3 BCP/ Alq / Mg ∶A g 的 3 种有机电致发光器件 。对器件的 样品的色坐标 ,结果均在白光范围内。图 8 参 19 (于晓光) 3 光电特性进行了测试 。结果表明 ,掺杂体系中的 PV K 有 效地抑制了固态膜中 PFC 激基缔合物的形成 。掺杂器件 TN304 . 12 2008021855 在不同的外加电场作用下发生发光层位置的移动 ,通过调 多孔硅后处理对其镶嵌染料光学特性 的影响 = Op tical 节外加电场 ,可以获得从绿光到蓝光的可见光发射 。图 8 charact eri stic of or ganic dye embedded in annealed porou s ( 参 23 (于晓光) silicon [刊 , 中]/ 倪梦莹 曲阜师范大学物理工程学院. 山 ( ) ) 东 , 曲阜 273 165 , 李清 山 …/ / 发光学报. 2007 , 28 O482 . 31 2008021851 (4) . 594598 发光纳米硅/ 二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响 　　对多孔硅进行真空退火处理和暴露大气快速退火处 = Charact eri stics of luminescent ncSi/ SiO2 multilayer s and 理 ,将有机染料香豆素 102 (C102) 镶嵌其中 ,研究镶嵌复合 ( influence of annealing in hydrogen [刊 ,中]/ 夏正月 南京大 膜发光特性的变化 。通过比较多孔硅退火处理前 、后傅里 ( ) 学物理系 ,固体微结构物理国家重点实验室. 江苏 , 南京 叶红外 F TIR 吸收光谱的变化 ,从多孔硅与镶嵌染料分 (2 10093) ) , 韩培高 …/ / 物理学报. 2007 , 56 ( 11) . 子间的能量传递方式角