关于电路第四基本元件的读书报告（龚绍文）.pdfVIP

关于电路第四基本元件的读书报告 龚绍文、于歆杰 (北京理工大学、清华大学) 一．导言 二．历史回顾——蔡少棠的理论 三．忆阻器的新进展——HP Labs的贡献 四．评价、讨论和建议 一. 导言 1. 2008年5月1 日Nature论文 2. 世界各大媒体的报导 二. 历史回顾——蔡少棠的理论 • 1. 1971年蔡少棠(Leon Chua)的论文 1) 基于结构完整性的推测(仿照门捷列夫周期表) R i u i dq ϕ udt ∫ L dt C dϕ u dt q ∫idt φ q ？ ( ) f ϕ, q 0 ( ) ( ) ϕ f q q g ϕ 令 M dϕ dϕ dt u Incremental dq dq dt i Memristance 2) 忆阻器的电气性质 ①耗能元件 非L 、C ②有记忆性 非R ③非线性才有实际意义 ④交变信号激励下才能正常工作 3) 忆阻器的电磁场解释 准静态场的分析方法* E ≈E 0 +E 1 H ≈H 0 +H 1 ∇×E 0 0 若一阶场可忽略 R 若一阶磁场可忽略 L 串R ∇×H J 0 0 若一阶电场可忽略 C并R ∂B ∇×E − 0 1 ∂t ∂D ∇×H 1 J 1 + 0 若零阶场可忽略 M ∂t *Fano, et.al., electromagnetic Fields, Energy and Forces, Wiley, 1960. 2. 1976－2000年 • 有零星研究，但一直未找到无源忆阻器 • 忆阻系统定义的出现(1976) ( ) 以x 为状态变量的状态方程 “忆” x