功率半导体器件技术_张波.pdfVIP

中国真空学会20 12 学术年会 论文摘要集 在规模化应用方面具有较大的优势。W 波段电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高 的要求。InP 基材料由于具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等特点在毫米波和太赫兹领域 具有重要的应用前景。本文利用 InP 基材料优异的特性，通过能带剪裁的方法提高 InP 基异 质结双极晶体管 （HBT ）和 InP 基高电子迁移率晶体管 （HEMT ）电子器件的特性。在 InP 基 HBT 器件中为增加器件的击穿电压，采用宽带隙的 InP 材料作为集电极，为同时减小集 电极导带尖峰对直流和频率特性的影响，设计了组分渐变和d掺杂层的复合集电极结构，有 效的消除了导带尖峰，工艺上实现了发射极宽度为亚微米的 InP 基 HBT 器件，截止频率超 过 300 GHz，击穿电压达到 8 V。采用与 InP 材料匹配的 InGaAs 材料做为沟道层、InAlAs 材料做势垒层，并实现了栅长小于 100 纳米的 InP 基 HEMT 器件，器件的截止频率超过 350 GHz 。基于 InP 基器件特殊的能带结构，在充分研究器件机理的基础上建立了基于公式的 InP 基器件模型，对器件在直流和高频特性进行了很好的描述。开发整套 InP 毫米波器件工艺， 设计实现了包括功率放大器、混频器、倍频器、低噪声放大器等系列 W 波段单片集成电路。 功率半导体器件技术 张 波 (电子科技大学) E-mail:zhangbo@uestc.edu.cn 摘要 功率半导体，即进行功率处理的半导体器件，它包括功率二极管、功率开关器 件与功率集成电路，前两者也称为功率 （分立）器件。近年来，随着功率MOS 技术的迅速发 展，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制扩展到 4C 产业 （计算机、通信、消费类电 子产品和汽车电子），渗透到国民经济与国防建设的各个领域。功率半导体是进行电能处理 的半导体产品。75%以上的电能应用需由功率半导体进行变换以后才能供设备使用。高品质 电能变换所内涵的高耐压、高速、高电流密度、高集成度和低导通电阻等给人们提出不少科 学与技术问题，并不断推动着功率半导体的发展。功率 （分立）器件，国内也称为电力电子 器件，从原理上可分为功率二极管、功率晶体管和晶闸管类器件。为了使功率半导体器件适 应便携式、绿色电源、节能减排的发展需要，功率 （分立）器件正不断采用新技术，不断改 进材料性能或开发新的应用材料、继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器 件功率集成密度，减少功率损耗。宽禁带半导体器件，特别是 SiC 和 GaN 基功率半导体器件 被视为下一代的功率半导体器件。在 SiC 整流器商业化生产的基础上，各种 SiC 功率开关器 件 （如 MOSFET、MESFET、JFET、IGBT、SIT、GTO、BJT 等）相继研制成功。虽然最近几年 SiC 功率开关器件取得了长足的进步，各种 SiC 功率开关器件的特性和功率容量不断提高， 但大规模商业化 SiC 功率开关器件还依赖于高质量、大面积无缺陷及低成本 SiC 材料的发展 以及器件结构优化和器件可靠性机理的研究。随着 LED 应用的迅速发展，GaN 材料及器件正 成为功率半导体的发展热点。基于 AlGaN/GaN 材料的器件具有比 SiC 更低的导通电阻和大直 径硅基GaN外延技术的成熟并逐步商业化，使得GaN功率半导体从微波功率器件向功率整流、 功率开关和功率集成发展。功率集成电路 （PIC）是指将高压功率器件与信号处理系统及外 围接口电路、保护电路、检测诊断电路等集成在同一芯片的集成电路，又称为智能功率集成 电路 （SPIC）。智能功率集成作为现代功率电子技术的核心技术之一，随着微电子技术的发 展，也正向集成更多的控制 （包括时序逻辑、DSP 及其固化算法等）和保护电路发展，以实 现功能更强的智能控制能力。本文将就硅基功率半导体分立器件技术、宽禁带功率半导体器 件技术和可集成功率半导体器件技术的最新技术和发展趋势做简要介绍。