功率驱动集成电路中自举元件的选择.pdfVIP

DT98-2 ___________________________________________________________________________________ 设计指南 功率驱动集成电路中自举元件的选择 1. 自举电路工作原理 Vbs(驱动电路 Vb 和 Vs 管脚之间的电压差)给集成电路高端驱动电路提供电 源。该电源电压必须在 10-20V 之间，以确保驱动集成电路能够完全地驱动 MOS 栅极器件(MGT) 。IR 公司的部分驱动集成电路有 Vbs 欠压保护，当 Vbs 电 压下降到一定值时(见数据表中 Vbsuv) ，将关闭高端驱动输出，这保证了 MGT 不 会在高功耗下工作。 Vbs 电源是悬浮电源，附加在 Vs 电压上(Vs 通常是一个高频的方波) 。有许 多方法可以产生 Vbs 悬浮电源，其中一种如本文中介绍的自举方式。这种方式 的好处是简单、低廉，但也有局限性。占空比和开通时间受限于自举电容的再 充电(长时间导通和大占空比时要求有充电泵电路支持,见 AN978) ，自举电源由 二极管和电容组成，如图 1 所示。 Dbs Vdc Vcc Vb R Ho Q1 Cbs Vs To low side load or FET 图 1. 自举二极管和电容电路 电路的工作原理如下，当 Vs 被拉到地时(通过下端器件或负载，视电路结 构而定) ，15V V 电源通过自举二极管(D ) 给自举电容(C )充电。因此给 V 提 cc bs bs bs 供一个电源。 DT98-2 ___________________________________________________________________________________ 2. 影响自举电源的因素 有五种以下因素影响对 Vds 电源的要求： a) MGT 栅极电荷要求。 b) Iqbs ：高端驱动电路静态电流。 c) 驱动 IC 中电平转换电路的电流。 d) MGT 栅极源漏电流。 e) 自举电容漏电流。 第 e)个因素只有当自举电容是电解电容时才考虑，其它类型电容可以忽略，因 此建议使用非电解类电容。 3. 计算自举电容值 下列公式列出了自举电容应该提供的最小电荷要求： I I Qbs = 2Qg + qbs (max) + Qls + cbs (leak ) (1) f f 其中：Q ：高端器件栅极电荷 g f ： 工作频率 Icbs(leak) ：自举电容漏电流 Qls ：每个周期内，电平转换电路中的电荷要求 500V/600V IC 为 5n