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工艺考试复习：  整理者（butterflying 2011‐1‐11）  1.在半导体技术发展的过程中有哪些重要事件? （一般）  晶体管的诞生  集成电路的发明  平面工艺的发明  CMOS 技术的发明  2.为什么硅是半导体占主导的材料？有哪些硅基薄膜？（一般）  硅材料：优良的半导体特性、稳定的电的、化学的、物理的及机械的性能 （特性稳定的金 刚石晶体结构、良好的传导特性、优异的工艺加工能力、研究最透彻的材料、具有一系列的 硅基化合物）  （总结：半导体性、电、物理、化学、机械性）  硅基薄膜：外延硅薄膜、多晶硅薄膜、无定形硅薄膜、SiO2 与 Si3N4 介质膜、SiGe 薄膜、金 属多晶硅膜  3. 微电子技术发展基本规律是什么？（重要）  摩尔定律（Moore’s Law）：芯片内的晶体管数量每 18 个月～20 个月增加 1 倍――集成电路 的集成度每隔三年翻两番，器件尺寸每三年增加 0.7 倍，半导体技术和工业呈指数级增长。 特征尺寸缩小因子，250→180→130→90→65→45→32→22→16(nm)  等比例缩小比率（Scaling down principle）：在 MOS 器件内部恒定电场的前提下，器件的横 向尺寸、纵向尺寸、电源电压都按照相同的比例因子 k 缩小，从而使得电路集成度 k2 倍提 高，速度 k 倍提高，功耗 k2 倍缩小。MOS 管阻抗不变，但连线电阻和线电流密度都呈 k 倍 增长。（阈值电压不能缩得太小，电源电压要保持长期稳定）  （总结：尺寸、电源电压变为1/k，集成度变为 k^2.速度变为 k 倍。（掺杂浓度变为k 倍）    Device miniaturization by “ Scaling‐down Principle”  Device geometry‐L , W , t , x →× 1/k  g g ox j Power supply‐Vdd→×1/k  Substrate doping‐N→× k  ⇒Device speed →× k  2 ⇒ Chip density→× k       4. 什么是 ITRS ? （重要）  International Technology Roadmap for Semiconductors  国际半导体技术发展蓝图  技术节点：DRAM 半间距  Technology node = DRAM half pitch        5.  芯片制造的主要材料和技术是什么？（一般）  Si 材料：大直径和低缺陷的单晶硅生长、吸杂工艺、薄膜的外延生长、 SiGe/Si 异质结、SOI  介质薄膜材料和工艺：热氧化、超薄高 K 栅氧化薄膜生长、互连的低 K 介质；  高分辨率光刻：电子束掩膜版、光学光刻（电子束曝光 EBL）、匹配光刻。高分辨率的抗蚀 1    剂、高分辨率的刻蚀技术、自对准技术；  选择掺杂技术：低能离子注入（浅结形成）、高能离子注入（阱形成）、RTP （快速热处理）；  器件隔离技术：PN 结隔离、LOCOS （局部氧化隔离）、STI （沟槽隔离）  接触和互连：多晶硅栅电极、自对准金属硅化物工艺、新型的金属栅、扩散阻挡层、高电导 和高可靠性的互连材料及工艺、多层互连    硅基异质结材料和器件工艺  （总结:si 材料，技术：光刻，掺杂，隔离，接触和互连）  6. 硅片清洗的方法？什么是吸杂工艺？类别? （了解）  清洗方法：湿法清洗和干法清洗  吸杂技术：通过某些方法去除有源器件区的金属杂质以及缺陷  吸杂三步骤：激活，扩散，俘获  类别：  碱金属离子的吸杂：  PSG （磷硅玻璃）——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物                   超过室温的条件下，碱金属离子即可扩散进入 PSG  超净工艺＋Si N 钝化保护——抵挡碱金属离子的进入