半导体材料和器件 课本结构.pdfVIP

银白色，高压器件，工作温度高 硅 禁带宽度1.15ev，自然界中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在 硅和锗的物理化学性质 硅和锗共同点 室温下化学性质都比较稳定，与空气、水和酸均无反应，可以与强酸、强碱反应。高温下，化学活性大 锗 迁移率大，低压大电流和高频器件 禁带宽度0.75ev 硅在地壳中的含量约为27％，主要来源是石英砂 粗硅或工业硅：95％-99％。用石英砂与焦炭在碳电极的电弧炉中还原制得，必须经过物理化学提纯 概况 三氯氢硅氢还原法产量大、质量高、成本低，是国内外提纯硅的主要方法。 在硅的外延生长中有的使用SiCl4做硅源 室温下为无色透明、油状的液体，易挥发和水解，在空气中剧烈发烟有强烈刺激臭味 三氯氢硅的性质 沸点低，容易制备、提纯还原 用干燥的Hcl气体与硅粉反应制备SiHcl3 反应温度：280-300 三氯氢硅还原法 三氯氢硅的制备 提纯方法：络合物形成法、固体吸附法、部分水解法和精馏法 第一章硅和锗的化学制备 高纯硅的制备 精馏法是主要方法，利用混合液中各组分的沸点不同来达到分离 SiHCl3+H2→Si+3HCl 提高还原温度对还原反应有利 三氯氢硅还原 基硼、基磷：高纯度多晶硅的纯度通常用其残留的B、P表示 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2 硅烷的制备 硅烷可用低温精馏和吸附法进行提纯，目前多用吸附法 硅烷法 SiH4=Si+2H2 热分解反应温度不能太低