10 MA 电流驱动钨丝丝阵内爆靶的设计研究.pdfVIP

10 MA 电流驱动钨丝丝阵内爆靶的设计研究.pdf

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维普资讯 第 1期 高 能 量 密 度 物 理 NO.1 2008年 3月 HIGH ENERGY DENSITY PHYSICS Mar., 2008 10MA电流驱动钨丝丝阵内爆靶 的设计研究 . 赵海龙 (中国工程物理研究院流体物理研究所 105室 .四川绵阳 621900) 摘 要:通过薄壳模型引出金属丝阵的理论计算模型,提出了临界丝数的概念。 利用此模型,设计了IOMA电流驱动 的钨丝丝阵靶 ,讨论计算 了影响靶 的设计的相 关因素。用一维模拟程序进行的数值模拟计算结果对相关实验的开展有重要的指导 意义 。 关键词 :临界丝数;靶 ;等离子体箍缩;薄壳模型 1 引 言 Z-pinch是将电容器中的电磁能耦合到高密度等离子中的一种非常有效的装置,在可控聚变和 强x射线源上有着巨大的应用价值。为了进一步深刻的认识等离子体箍缩的本质,M.G.HainS 提出了一种基于薄壳模型的理论计算方法 。文中借助该理论提出的计算方法,利用一维模拟程 序 MHD1开展了 lOMA电流驱动的钨丝丝阵靶的设计研究,给出计算结果。 2 理论模型 丝阵箍缩的雪耙模型 M 一 ㈣ 式中:M为丝阵线质量密度,a为丝阵半径 ,I为负载 中电流, 为真空磁导率 。为了简化分析 ,假 设(1)式右边等于一 t,这意味着在箍缩早期短时间内I—At。这样(1)式的解为 n。====rro0—一_- —一rr00((1一一 ) ((z2)) 式中:r0为丝阵的初始半径;t为内爆时间,定义 t一 (12ro/]) 。如果定义时刻 t为单丝行为 膨胀阶段结束、丝阵融合成壳的时间,则在成壳时间 t时刻的丝阵半径 a 为 a 一 r0(1一 ) (3) 如果假设膨胀阶段单丝以恒定速度 向外膨胀 ,此时丝阵周长 2za 一2t硼 ,由此可得 t 一 (4) 初始时刻丝间距为 27cr0 ,这样联立 (3)式和 (4)式可以得到 tp一 (1一 ), 令 一 (nro)/(up) (5) 则 tm t 一 p鲁(1一若tp。) (6) 式中的 为保证丝阵成壳所必需的最小 根数。 维普资讯 高 能 量 密 度 物 理 2008年 3月 在实验设计中,t通常由驱动电流的上升时间来确定,一般为固定值 ;与丝的材料有关 ,在驱 动电流和丝的材料已经确定 的情况下 ,一般为固 定值 。因此 ,最小丝根数一般 由初始半径来决定。 3 数值模拟计算 量 3.1 计算背景 文中设置的驱动电流峰值为 1OMA,上升时 间为 100ns。一般在此电流驱动下内爆丝阵直径 为20~30mm(钨丝)。由于单丝制作工艺 的限 制 ,文中讨论的单丝半径

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