冶金法制备太阳能级硅中湿法除B探索研究.pdfVIP

第30卷专辑 中 国稀土学报 2呲年。月 !!!：!!1211=』望” JOURNALOFCHINESESOCIETYOFRAREEARTHS Aug．2012 j 冶金法制备太阳能级硅中湿法除B探索研究 麦毅，马文会‘，谢克强，张虎，刘强，王统 3) (昆明理工大学真空冶金国家工程实验室，云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心，云南昆明65009 压及加压浸出对工业硅中杂质B的去除影响。结果表明NI山CI+试剂x+试剂Y体系在加热的条件下除硼效果最佳，可去除工业 硅中的B，去除率在50％左右。 关键词：太阳能级硅；湿法冶金；除B 中图分类号：F407．3文献标识码：A 文章编号：1000-4343(2012)-066245 硼是太阳能级硅(SoG-Si)制备过程难去除的者气氛下的除硼效果，为深入系统研究湿法除硼奠 杂质，太阳能电池一般要求硅中硼含量必须小于O．3 定了基础。 ×10～。硼含量过高将使太阳能电池电阻率过低， 1实验原料与方法 并产生光致衰减，影响太阳能电池的光电转换效率 和稳定性(1圳。目前，国内外针对这一难去除杂质研 1．1原料 究较多，从原理和工艺来看，可分为吹气造渣、高 实验原料为云南某硅厂所生产的工业硅，块状 mm后进 温等离子体氧化、合金定向凝固和湿法除硼等垆~1制。 工业硅通过破碎，细磨至100％dx于0．074 行磁选，磁选数次后，取样进行分析和实验，原料 其中，湿法预处理联合火法精炼过程具有设备简单、 处理和实验流程见图1。原料粉末x射线衍射分析 能耗低、周期短等独特优势，因此，研究工艺简单、 见图2，原料中硼的含量采用ICP．MS分析，其它 经济合理的湿法除硼工艺对后续火法精炼过程提高 杂质采用ICP．AES分析，硼及主要金属杂质含量见 成品收率以及降低冶金法太阳能级多晶硅生产成本 具有重要意义[15|。目前，对于工业硅是否能采用湿 表1。从图2可以看出实验所用工业硅无明显杂质 偏聚相，基体为较纯的硅。 法冶金法除硼还存在一些争议，部分研究者[16-17]认 为硼在硅中分凝系数(0．8)较大，在凝固过程中偏 浸出介质 析聚集较少，受液固两相反应条件和硼及其化合物 —掣1 化学性质等的影响，湿法不宜除硼，应当采用火法。 去离子水 但是，近年来，部分研究人员发现利用化学活性较 甲 高的介质体系可以去除工：业硅中的部分硼。厦门大 学汤培平[3,15]等就分别进行了浓HN03加浓H2s04 混酸体系和浓H2S04加／-IF混酸体系除硼的实验研 究，其研究结果表明在这两组混酸体系中硼去除率 图1原料处理与实验流程 Material and 均可达40％左右。庞爱锁【l8l等用高温氧化提纯和酸 Fig．1 handlingexperimentalprocesses 浸两步使硼的质量分数降低到了4×10～。本文为进 一步了解湿法除硼的可能性，探讨了在不同介