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663铝版缺陷分析 2011年10月，事业一部中间测试反应有一批663成品率不良，经查该批次为144批，此批次失效较为特殊，144批有12片成品率为零，其他13片成品率良好，现对其经行分析： 663为三端稳压器，在输入范围内其输出电压应该为4.85—5.15V，使用研发部手动探针台，用手动测试的方法观察管芯好坏之间的差异，其中对不良品测试数据为表1，良品的测试数据如表2 输入电压 10V 15V 20V 25V 30V 输出电压 2.52 2.55 2.63 3.0 基准电压 2.00 2.05 2.09 2.40 表1 不良品的测试数据 输入电压 10V 15V 20V 25V 30V 输出电压 4.95 4.95 4.96 4.96 4.97 基准电压 3.89 3.90 3.90 3.90 3.91 表2 不良品的测试数据 由测试数据可以看出：不良品的输出和基准有着明显的区别，并且不良品的输出和基准随输入的变化有较大漂动，不良品根本不具有稳压功能！ 对电路的PCM进行测试，测试后发现良品和不良品的PCM数据没有明显区别，二者的PCM数据非常接近并且都符合我公司的测试标准，这种现象让人很费解？ 经查144批曾有返修记录，其中该批次有12片因为铝过刻蚀曾去铝返修，而这与该批次成品率为零的12片或许存在关系。于是将两者在显微镜下观察，芯片表面未见异常，没有光刻刻偏或钻蚀现象。但是费解和苦恼的同时发现一个不和谐的地方，如图1所示。 图1 663版图 图1为663版图，红色标注的区域为电容器件，其电容金属极板在下边缘较小，没有完全盖住电容孔，如图2所示：红线为金属板边界，绿色线为电容孔边界。根据设计规则金属板边界应大于电容孔边界 图2 电容 这种电容为MOS电容，其金属为电容的一个极板，硅为另一个极板，中间隔以氧化硅和氮化硅的绝缘层，图3所示。为保证电容的容量，绝缘层一般比较薄，663的电容绝缘层在1000埃左右。 图3 MOS电容结构 为保证刻铝可以刻蚀干净，我公司的在刻铝时存在一定的过刻蚀，铝刻蚀掉以后肯定要接着刻蚀铝下的材料。如果电容孔没有被铝层完全覆盖，没有被覆盖的电容孔上的绝缘层就会被刻蚀，很有被可能完全刻蚀掉（如图4所示），因为电容孔上的绝缘层比较薄（663为1000埃左右）。 图4 将本次失效的片子去除钝化层和铝层，的确发现这种现象，如图5所示。箭头指示处可以看出：没有被铝层覆盖的电容孔处已经没有了绝缘层，露出了硅衬底的灰色。 图5 这种缺陷会造成电路的可靠性降低，但是不一定会引起电路失效，因为毕竟电容的上下极板在理论上没有短路。但是如果在刻蚀铝后返修，经过重新溅铝和刻蚀铝，那么一些合理的光刻对准偏差就会使电容器上下极板短路，形成图7形貌的结构。 图7 追查在线663刻蚀铝之后的批次。图5和6是刻蚀铝之后的电容形貌，图5已经露出了硅的颜色，而图6中对应的区域则存在蓝色的绝缘层。这说明这种电容损伤的现象会因为工艺偏动的原因（如：铝层厚度、刻蚀速度等）存在。 图5 图6 原理分析： 图7为663电压调整器类似的原理图，该电容位于基准和误差放大器模块。以图7举例，电路的基准为能隙基准： VREF = VBE6 + VBE4 + VBE3+ VR2+ VR15 其中电容C位于Q4管的基极和集电极之间，起相位补偿作用，对高频信号形成强烈的负反馈，防止电路振荡。 电路的基准路经利用了Q4三极管的BE结电压，如果电容C两极短路，那个Q4管已经不再是三极管，能隙基准也就不再成立，电路失去了稳压作用；同时这种机理也会过分抽取稳压器调整管基极电流，造成输出电压低的现象，以此解释了失效管的测试数据电压漂动过大和输出电压低的现象。 本次分析的收获： 重新做版该产品铝版，尤其是G7、I7的做版时考虑此问题。 663、690产品刻铝后尽量慎重返修，局部成品率低一点也比整片报废值得。 优化溅铝和铝刻蚀的稳定性，如:铝厚差异、刻蚀选择比、精准控制铝刻蚀厚度等。 分析人：科学家 2011/10/20