电力电子技术的发展.pdfVIP

维普资讯 ◆刘长国 于 春 流器 。 止式 固态断略器 ：实现无触点的开关 2)第二阶段 断路器的功能．控制电能的通断。 以GTO GTR等全控器件为代表 2)电力半导体变流技术的发展，已经历 的发展阶段。虽仍属电流型控制模式． 了三个阶段 。 但其应用使得变流器的准高频化得以 (1】第一阶段 半导体变流技术的发展，立足于电 实现 。 第一阶段是基于电子管、离子管的 力半导体器件的发展 而电力半导体器 3)第三阶段 发展与应用．当时把这一学科称作工业 件是 以美国 1956年生产硅整流 管 以功率 MOSFET、IGBT等电压型 电子学。这一阶段的研究工作，主要是集 fSR)、1958年生产晶闸管(SCR)为起 全控器件为代表的发展阶段．可直接用 中在整流、逆变和变频技术的开发上。变 始点逐渐发展起来的。 C『进行驱动。高频特性更好，可以说器 流技术的应用领域主要是直流传动．直 经过了40多年的发展．随着器件制 件制造技术已进人了和微电子技术相 流牵引。电化、电冶、中频、高频淬火、加 造技术上不断提高．电力半导体器件已 结合的初级阶段。即电力电子器件与电 热．高压直流输电等。由于直流传动．直 经历了以晶闸管为代表的分立器件．以 子器件在发展的道路上，经历了一段时 流牵引．电化电冶在变流技术应用中占 可关断晶闸管 (GTO)、大功率晶体管 间的分道扬镰、各走各的路的状况之 有压倒的优势．因此．那时将直流传动、 (GTR)、 功 率 场 效 应 晶 体 管 后 ，又走到一起了。 牵引、电化称作变流行业的三大支柱。 (PowerMOSFET)、绝缘栅双极晶体管 4)第四阶段 (2)第二阶段 (IGBT)为代表的功率集成器件cPID)． 以SPIC、HVIC等功率集成 电路 第二阶段是基于硅整流管、晶闸管 以智能化功率集成电路(SPIC)、高压功 为代表的发展阶段 使电力电子技 的发展与应用．主要是晶闸管。这一阶 率集成电路 (HVIC)为代表的功率集成 术与微电子技术更紧密地结合在了 段主要是针对硅整流管、晶闸管取代电 电路(PIC)等三个发展时期。从晶闸管靠 一 起 ．是将全控型电力电子器件与 子管、离子管以后出现的新问题．诸如： 换相电流过零关断的半控器件发展到 驱动电路 控制电路、传感电路、保 触发电路的研究、器件并联均流措施的 PID、PIC通过门极或栅极控制脉冲可实 护电路、逻辑电路等集成