大功率白光LED的制备和表征.pdfVIP

第 19 卷　第 2 期 　液 　晶 　与 　显 　示 Vol. 19 ,No. 2 2004 年 4 月　　 　Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 　Apr. ,2004 文章编号 : (2004) 02 - 0083 - 04 大功率白光 L ED 的制备和表征 1 1 1 1 1 陈志忠 ,秦志新 ,胡晓东 ,于彤军 ,杨志坚 , 1 2 3 1 章　蓓 ,姚光庆 ,邱秀敏 ,张国义 ( 1. 北京大学 物理学院 介观物理与人工微结构国家重点实验室 ,北京　100871 ,E - mail :zzchen @pku. edu. cn ; 2. 北京大学 化学学院 ,北京　100871 ; 3. 北京宝龙光光电技术有限公司 ,北京　100043) ( ) 摘 　要 :用 1 mm ×1 mm 的大尺寸 GaN 基蓝光发光二极管 L ED 芯片和 YA G ∶Ce 黄光荧光粉 在食人鱼支架上封装大功率白光 L ED 。其200 mA 下的发光功率为 13. 8 mW ,约为相同 L ED 外延片制备的普通尺寸L ED 的 10 倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 200 mA 仍没有 出现饱和或下降的趋势 , 白光的色温从5 300 K 下降至 4 800 K 。同时研究了不同荧光粉混合 比例对白光色度的影响。 关 键 词 : 白光L ED ;大功率 ;荧光粉 ;色温 中图分类号: TN312. 8 　　　文献标识码 :A 的L ED 芯片 , 并用食人鱼结构和 YA G ∶Ce 荧光 1 　引　　言 粉封装出大功率的白光 L ED 。通过不同电流下 的光功率变化 , 以及色温、色坐标的变化,讨论了 ( ) 利用 GaN 基发光二极管 L ED 发射的短波 大功率 L ED 的电流扩展、散热等对 L ED 性能的 长光激发荧光材料制备的白光 L ED 作为新型的 节能、环保光源 , 正引起人们的广泛注意[1～7 ] 。 影响。 但是 , 目前白光L ED 用于照明还存在以下问题 : 2 　实　　验 发光效率较低 ,单管发射功率小 ,价格昂贵。这些 缺点阻碍了白光 L ED 在照明领域的应用 ,使得白 GaN 基蓝光L ED 外延片是在 Thomas Swang 光 L ED 主要应用于手机的背光源和汽车仪表照 的 MOCVD 系统生长得到。L ED 有源层是 5 个 明 , 以及亮度要求不高的特殊照明和景观照明 周期的 In GaN/ GaN 多量子阱。大尺寸 GaN 基 上[8～10 ] 。发光效率的提高是有限的 ,单纯地追求 L ED 芯片制备