电路与电子技术应用基础教学配套课件谭维瑜第5章5.2.pdfVIP

第 5 章 半导体器件 5.2 晶体管 5.2.1 晶体管的基本结构 5.2.2 晶体管的工作原理 5.2.3 晶体管的特性曲线 教学要求 1.熟悉晶体管的基本结构 2.掌握晶体管的工作原理 3.熟悉晶体管的特性曲线 5.2 5.2 晶体管 双极型晶体管 BJT 或晶体三极管, 简称三极管或晶体管。 图 5-10 晶体管结构示意图和图形符号 5.2-1-1 5.2 晶体管 5.2.1 晶体管基本结构 晶体管有 NPN(通常是硅管)和 PNP(通常是锗管)两种类型, 图 5-10(a)是 NPN, 图(b)是 PNP 的结构示意图和图形 它们有：三个掺杂区(发射区,基区,集电区) ；两个 PN 结 (发射结,集电结) ；三个 电极(发射极 E,基极 B,集电极 C)。 三个掺杂区中：发射区杂质浓度高, 基区很薄且浓度很低, 集电区面积最大且浓度较低。 图形符号中的箭头表示发射极电流IE 的方向：NPN 管↘表 示 IE 从发射极流出,PNP 管↖表示 IE 从发射极流入。 5.2-1-2 5.2 晶体管 5.2.2 晶体管的工作原理 晶体管是一个具有电流放大作用的电子器件。为实现放大作用,可将 NPN 型 晶体管联 成如图 5-11 所示的共发射极 电路, 其中箭头表示载流子的运动方向, 图 5-11 共发射极电路中载流子的运动 由于发射结正偏→发射区电子进入基区→由于集电结反偏,→发射区大部分电子被集 电极吸取而形成 IC 。发射区小部分电子与基区空穴复合，但基区仍有部分空穴进入到发射区， 形式 IB 。由于载流子的运动, 形成了发射极电流 IE, 基极电流 IB 集电极电流 IC 。它们之间的 KCL 关系为 I =I +I 。 E B C 5.2-2-1 5.2 晶体管 5.2.2 晶体管的工作原理 图 5-12 是图 5.11 对应的共发射极电路中的电流和电压。 图 5-12 共发射极电路中的电流和电压 基极 电路由U , R , B 极和 E 极组成；集电极 电路 BB B 由U R 和 C 极组成。U 使发射结正 向偏置, U 使集 CC, C BB CC 电结反 向偏置。 5.2-2-2 5.2.2 晶体管的工作原理 晶体管的电流分配与放大作用, 用图 5-13 的NPN 型共发射极放大 实验电路来说明。 图 5-13 NPN 型共发射极放大实验电路 图 5-13 中晶体管 V( 旧符号为T)为 NPN 管, E 为基极 电源,与 基极电阻 R B B 及基极 B 和发射极 E 组成基极—发射极回路(称作输入回路) ；EC 为集电极 电源, 与集电